SiC वेफरको सारांश
सिलिकन कार्बाइड (SiC) वेफरहरूअटोमोटिभ, नवीकरणीय ऊर्जा, र एयरोस्पेस क्षेत्रहरूमा उच्च-शक्ति, उच्च-फ्रिक्वेन्सी, र उच्च-तापमान इलेक्ट्रोनिक्सको लागि रोजाइको सब्सट्रेट बनेको छ। हाम्रो पोर्टफोलियोले प्रमुख पोलिटाइपहरू र डोपिङ योजनाहरू समेट्छ - नाइट्रोजन-डोपेड 4H (4H-N), उच्च-शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग (HPSI), नाइट्रोजन-डोपेड 3C (3C-N), र p-प्रकार 4H/6H (4H/6H-P) - तीन गुणस्तर ग्रेडहरूमा प्रस्ताव गरिएको: PRIME (पूर्ण रूपमा पालिश गरिएको, उपकरण-ग्रेड सब्सट्रेटहरू), DUMMY (प्रक्रिया परीक्षणहरूको लागि ल्याप गरिएको वा अनपॉलिश गरिएको), र RESEARCH (R&D को लागि अनुकूलन एपि लेयरहरू र डोपिङ प्रोफाइलहरू)। वेफर व्यासहरू लिगेसी उपकरणहरू र उन्नत फ्याबहरू दुवै अनुरूप 2″, 4″, 6″, 8″, र 12″ फैलिन्छन्। हामी इन-हाउस क्रिस्टल वृद्धिलाई समर्थन गर्न मोनोक्रिस्टलाइन बुलहरू र सटीक रूपमा उन्मुख बीज क्रिस्टलहरू पनि आपूर्ति गर्छौं।
हाम्रा ४H-N वेफरहरूमा १×१०¹⁶ देखि १×१०¹⁹ सेमी⁻³ सम्मको वाहक घनत्व र ०.०१–१० Ω·सेमी प्रतिरोधात्मकता रहेको छ, जसले २ MV/सेमी भन्दा माथि उत्कृष्ट इलेक्ट्रोन गतिशीलता र ब्रेकडाउन क्षेत्रहरू प्रदान गर्दछ — स्कट्की डायोडहरू, MOSFETs, र JFETs को लागि आदर्श। HPSI सब्सट्रेटहरू ०.१ सेमी⁻² भन्दा कम माइक्रोपाइप घनत्वको साथ १×१०¹² Ω·सेमी प्रतिरोधात्मकता भन्दा बढी हुन्छन्, RF र माइक्रोवेभ उपकरणहरूको लागि न्यूनतम चुहावट सुनिश्चित गर्दछ। २″ र ४″ ढाँचाहरूमा उपलब्ध क्यूबिक ३C-N ले सिलिकनमा हेटेरोएपिटेक्सी सक्षम बनाउँछ र नोभल फोटोनिक र MEMS अनुप्रयोगहरूलाई समर्थन गर्दछ। P-प्रकार ४H/६H-P वेफरहरू, १×१०¹⁶–५×१०¹⁸ सेमी⁻³ सम्म एल्युमिनियमसँग डोप गरिएको, पूरक उपकरण आर्किटेक्चरलाई सहज बनाउँछ।
SiC वेफर, PRIME वेफरहरूले <0.2 nm RMS सतहको खुरदरापन, कुल मोटाई ३ µm भन्दा कम र धनु <१० µm सम्म रासायनिक-यान्त्रिक पालिसिङबाट गुज्रन्छन्। DUMMY सब्सट्रेटहरूले एसेम्बली र प्याकेजिङ परीक्षणहरूलाई गति दिन्छन्, जबकि RESEARCH वेफरहरूमा २-३० µm को एपि-लेयर मोटाई र बेस्पोक डोपिङ हुन्छ। सबै उत्पादनहरू एक्स-रे विवर्तन (रकिंग कर्भ <३० आर्कसेक) र रमन स्पेक्ट्रोस्कोपीद्वारा प्रमाणित हुन्छन्, जसमा विद्युतीय परीक्षणहरू - हल मापन, C-V प्रोफाइलिङ, र माइक्रोपाइप स्क्यानिङ - JEDEC र SEMI अनुपालन सुनिश्चित गरिन्छ।
१५० मिमी व्यास सम्मका बाउलहरू PVT र CVD मार्फत १×१०³ cm⁻² भन्दा कम विस्थापन घनत्व र कम माइक्रोपाइप गणना भएका हुन्छन्। पुनरुत्पादन योग्य वृद्धि र उच्च स्लाइसिङ उपजको ग्यारेन्टी गर्न बीउ क्रिस्टलहरू c-अक्षको ०.१° भित्र काटिन्छन्।
धेरै पोलिटाइपहरू, डोपिङ भेरियन्टहरू, गुणस्तर ग्रेडहरू, SiC वेफर आकारहरू, र इन-हाउस बाउल र बीउ-क्रिस्टल उत्पादनलाई संयोजन गरेर, हाम्रो SiC सब्सट्रेट प्लेटफर्मले आपूर्ति शृङ्खलाहरूलाई सुव्यवस्थित गर्दछ र विद्युतीय सवारी साधनहरू, स्मार्ट ग्रिडहरू, र कठोर-वातावरणीय अनुप्रयोगहरूको लागि उपकरण विकासलाई गति दिन्छ।
SiC वेफरको सारांश
सिलिकन कार्बाइड (SiC) वेफरहरूअटोमोटिभ, नवीकरणीय ऊर्जा, र एयरोस्पेस क्षेत्रहरूमा उच्च-शक्ति, उच्च-फ्रिक्वेन्सी, र उच्च-तापमान इलेक्ट्रोनिक्सको लागि रोजाइको SiC सब्सट्रेट बनेको छ। हाम्रो पोर्टफोलियोले प्रमुख पोलिटाइपहरू र डोपिङ योजनाहरू समेट्छ - नाइट्रोजन-डोपेड 4H (4H-N), उच्च-शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग (HPSI), नाइट्रोजन-डोपेड 3C (3C-N), र p-प्रकार 4H/6H (4H/6H-P)- तीन गुणस्तर ग्रेडहरूमा प्रस्ताव गरिएको: SiC वेफरPRIME (पूर्ण रूपमा पालिस गरिएको, उपकरण-ग्रेड सब्सट्रेटहरू), DUMMY (प्रक्रिया परीक्षणहरूको लागि ल्याप गरिएको वा अनपॉलिस गरिएको), र RESEARCH (R&D को लागि अनुकूलन एपि लेयरहरू र डोपिङ प्रोफाइलहरू)। SiC वेफर व्यासहरू लेगेसी उपकरणहरू र उन्नत फ्याबहरू दुवै अनुरूप २″, ४″, ६″, ८″, र १२″ फैलिएका छन्। हामी घरभित्र क्रिस्टल वृद्धिलाई समर्थन गर्न मोनोक्रिस्टलाइन बाउलहरू र सटीक रूपमा उन्मुख बीज क्रिस्टलहरू पनि आपूर्ति गर्छौं।
हाम्रा ४H-N SiC वेफरहरूमा १×१०¹⁶ देखि १×१०¹⁹ सेमी⁻³ सम्मको वाहक घनत्व र ०.०१–१० Ω·सेमी प्रतिरोधात्मकता रहेको छ, जसले २ MV/सेमी भन्दा माथि उत्कृष्ट इलेक्ट्रोन गतिशीलता र ब्रेकडाउन क्षेत्रहरू प्रदान गर्दछ — स्कट्की डायोडहरू, MOSFETs, र JFETs को लागि आदर्श। HPSI सब्सट्रेटहरू ०.१ सेमी⁻² भन्दा कम माइक्रोपाइप घनत्वको साथ १×१०¹² Ω·सेमी प्रतिरोधात्मकता भन्दा बढी हुन्छन्, RF र माइक्रोवेभ उपकरणहरूको लागि न्यूनतम चुहावट सुनिश्चित गर्दछ। २″ र ४″ ढाँचाहरूमा उपलब्ध क्यूबिक ३C-N ले सिलिकनमा हेटेरोएपिटेक्सी सक्षम बनाउँछ र नोभल फोटोनिक र MEMS अनुप्रयोगहरूलाई समर्थन गर्दछ। १×१०¹⁶–५×१०¹⁸ सेमी⁻³ सम्म एल्युमिनियमसँग डोप गरिएको SiC वेफर P-प्रकार ४H/६H-P वेफरहरू, पूरक उपकरण आर्किटेक्चरहरूलाई सहज बनाउँछन्।
SiC वेफर PRIME वेफरहरूले <0.2 nm RMS सतहको खुरदरापन, कुल मोटाई ३ µm भन्दा कम र धनु <१० µm सम्म रासायनिक-यान्त्रिक पालिसिङबाट गुज्रन्छन्। DUMMY सब्सट्रेटहरूले एसेम्बली र प्याकेजिङ परीक्षणहरूलाई गति दिन्छन्, जबकि RESEARCH वेफरहरूमा २-३० µm को एपि-लेयर मोटाई र बेस्पोक डोपिङ हुन्छ। सबै उत्पादनहरू एक्स-रे विवर्तन (रकिंग कर्भ <३० आर्कसेक) र रमन स्पेक्ट्रोस्कोपीद्वारा प्रमाणित हुन्छन्, जसमा विद्युतीय परीक्षणहरू - हल मापन, C-V प्रोफाइलिङ, र माइक्रोपाइप स्क्यानिङ - JEDEC र SEMI अनुपालन सुनिश्चित गरिन्छ।
१५० मिमी व्यास सम्मका बाउलहरू PVT र CVD मार्फत १×१०³ cm⁻² भन्दा कम विस्थापन घनत्व र कम माइक्रोपाइप गणना भएका हुन्छन्। पुनरुत्पादन योग्य वृद्धि र उच्च स्लाइसिङ उपजको ग्यारेन्टी गर्न बीउ क्रिस्टलहरू c-अक्षको ०.१° भित्र काटिन्छन्।
धेरै पोलिटाइपहरू, डोपिङ भेरियन्टहरू, गुणस्तर ग्रेडहरू, SiC वेफर आकारहरू, र इन-हाउस बाउल र बीउ-क्रिस्टल उत्पादनलाई संयोजन गरेर, हाम्रो SiC सब्सट्रेट प्लेटफर्मले आपूर्ति शृङ्खलाहरूलाई सुव्यवस्थित गर्दछ र विद्युतीय सवारी साधनहरू, स्मार्ट ग्रिडहरू, र कठोर-वातावरणीय अनुप्रयोगहरूको लागि उपकरण विकासलाई गति दिन्छ।
SiC वेफरको तस्वीर
६ इन्च ४H-N प्रकारको SiC वेफरको डाटा पाना
| ६ इन्चको SiC वेफर्स डाटा शीट | ||||
| प्यारामिटर | उप-प्यारामिटर | Z ग्रेड | पी ग्रेड | डी ग्रेड |
| व्यास | १४९.५–१५०.० मिमी | १४९.५–१५०.० मिमी | १४९.५–१५०.० मिमी | |
| मोटाई | ४ घण्टा उत्तर | ३५० माइक्रोमिटर ± १५ माइक्रोमिटर | ३५० माइक्रोमिटर ± २५ माइक्रोमिटर | ३५० माइक्रोमिटर ± २५ माइक्रोमिटर |
| मोटाई | ४H‑SI | ५०० माइक्रोमिटर ± १५ माइक्रोमिटर | ५०० माइक्रोमिटर ± २५ माइक्रोमिटर | ५०० माइक्रोमिटर ± २५ माइक्रोमिटर |
| वेफर अभिमुखीकरण | अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११-२०> ±०.५° (४H-N); अक्षमा: <०००१> ±०.५° (४H-SI) | अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११-२०> ±०.५° (४H-N); अक्षमा: <०००१> ±०.५° (४H-SI) | अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११-२०> ±०.५° (४H-N); अक्षमा: <०००१> ±०.५° (४H-SI) | |
| माइक्रोपाइप घनत्व | ४ घण्टा उत्तर | ≤ ०.२ सेमी⁻² | ≤ २ सेमी⁻² | ≤ १५ सेमी⁻² |
| माइक्रोपाइप घनत्व | ४H‑SI | ≤ १ सेमी⁻² | ≤ ५ सेमी⁻² | ≤ १५ सेमी⁻² |
| प्रतिरोधात्मकता | ४ घण्टा उत्तर | ०.०१५–०.०२४ Ω·सेमी | ०.०१५–०.०२८ Ω·सेमी | ०.०१५–०.०२८ Ω·सेमी |
| प्रतिरोधात्मकता | ४H‑SI | ≥ १×१०¹⁰ Ω·सेमी | ≥ १×१०⁵ Ω·सेमी | |
| प्राथमिक समतल अभिमुखीकरण | [१०-१०] ± ५.०° | [१०-१०] ± ५.०° | [१०-१०] ± ५.०° | |
| प्राथमिक समतल लम्बाइ | ४ घण्टा उत्तर | ४७.५ मिमी ± २.० मिमी | ||
| प्राथमिक समतल लम्बाइ | ४H‑SI | खाच | ||
| किनारा बहिष्करण | ३ मिमी | |||
| ताना/एलटीभी/टीटीभी/धनुष | ≤2.5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm | ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm | ||
| खस्रोपन | पोलिश | रा ≤ १ एनएम | ||
| खस्रोपन | सीएमपी | रा ≤ ०.२ एनएम | रा ≤ ०.५ एनएम | |
| किनारा दरारहरू | कुनै पनि होइन | संचयी लम्बाइ ≤ २० मिमी, एकल ≤ २ मिमी | ||
| हेक्स प्लेटहरू | संचयी क्षेत्रफल ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤ ०.१% | संचयी क्षेत्रफल ≤ १% | |
| पोलिटाइप क्षेत्रहरू | कुनै पनि होइन | संचयी क्षेत्रफल ≤ ३% | संचयी क्षेत्रफल ≤ ३% | |
| कार्बन समावेशीकरणहरू | संचयी क्षेत्रफल ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤ ३% | ||
| सतह खरोंचहरू | कुनै पनि होइन | संचयी लम्बाइ ≤ १ × वेफर व्यास | ||
| एज चिप्स | कुनै पनि अनुमति छैन ≥ ०.२ मिमी चौडाइ र गहिराइ | ७ वटा चिप्ससम्म, ≤ १ मिमी प्रत्येक | ||
| TSD (थ्रेडिङ स्क्रू विस्थापन) | ≤ ५०० सेमी⁻² | लागू हुँदैन | ||
| BPD (आधार विमान विस्थापन) | ≤ १००० सेमी⁻² | लागू हुँदैन | ||
| सतह प्रदूषण | कुनै पनि होइन | |||
| प्याकेजिङ | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर | |
४ इन्च ४H-N प्रकारको SiC वेफरको डाटा पाना
| ४ इन्चको SiC वेफरको डाटा शीट | |||
| प्यारामिटर | शून्य MPD उत्पादन | मानक उत्पादन ग्रेड (P ग्रेड) | डमी ग्रेड (D ग्रेड) |
| व्यास | ९९.५ मिमी–१००.० मिमी | ||
| मोटाई (४ घण्टा देखि उचाइ सम्म) | ३५० माइक्रोमिटर±१५ माइक्रोमिटर | ३५० माइक्रोमिटर±२५ माइक्रोमिटर | |
| मोटाई (४H-Si) | ५०० माइक्रोमिटर±१५ माइक्रोमिटर | ५०० माइक्रोमिटर±२५ माइक्रोमिटर | |
| वेफर अभिमुखीकरण | अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११२०> 4H-N को लागि ±०.५°; अक्षमा: <०००१> 4H-Si को लागि ±०.५° | ||
| माइक्रोपाइप घनत्व (४H-N) | ≤०.२ सेमी⁻² | ≤२ सेमी⁻² | ≤१५ सेमी⁻² |
| माइक्रोपाइप घनत्व (४H-Si) | ≤१ सेमी⁻² | ≤५ सेमी⁻² | ≤१५ सेमी⁻² |
| प्रतिरोधकता (४H-N) | ०.०१५–०.०२४ Ω·सेमी | ०.०१५–०.०२८ Ω·सेमी | |
| प्रतिरोधकता (४H-Si) | ≥१E१० Ω·सेमी | ≥१E५ Ω·सेमी | |
| प्राथमिक समतल अभिमुखीकरण | [१०-१०] ±५.०° | ||
| प्राथमिक समतल लम्बाइ | ३२.५ मिमी ±२.० मिमी | ||
| माध्यमिक समतल लम्बाइ | १८.० मिमी ±२.० मिमी | ||
| माध्यमिक समतल अभिमुखीकरण | सिलिकन फेस अप: प्राइम फ्ल्याट ±५.०° बाट ९०° CW | ||
| किनारा बहिष्करण | ३ मिमी | ||
| एलटिभी/टीटिभी/बो वार्प | ≤2.5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| खस्रोपन | पोलिश रा ≤१ एनएम; सीएमपी रा ≤०.२ एनएम | रा ≤०.५ एनएम | |
| उच्च तीव्रताको प्रकाशले किनारा फुट्छ | कुनै पनि होइन | कुनै पनि होइन | संचयी लम्बाइ ≤१० मिमी; एकल लम्बाइ ≤२ मिमी |
| उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा हेक्स प्लेटहरू | संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤०.१% |
| उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा पोलिटाइप क्षेत्रहरू | कुनै पनि होइन | संचयी क्षेत्रफल ≤३% | |
| दृश्य कार्बन समावेशीकरणहरू | संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤३% | |
| उच्च तीव्रताको प्रकाशले सिलिकन सतहमा खरोंच | कुनै पनि होइन | संचयी लम्बाइ ≤1 वेफर व्यास | |
| उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा किनारा चिप्स | कुनै पनि अनुमति छैन ≥०.२ मिमी चौडाइ र गहिराइ | ५ अनुमति दिइएको, ≤१ मिमी प्रत्येक | |
| उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा सिलिकन सतह प्रदूषण | कुनै पनि होइन | ||
| थ्रेडिङ स्क्रू विस्थापन | ≤५०० सेमी⁻² | लागू हुँदैन | |
| प्याकेजिङ | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर |
४ इन्चको HPSI प्रकारको SiC वेफरको डाटा शीट
| ४ इन्चको HPSI प्रकारको SiC वेफरको डाटा शीट | |||
| प्यारामिटर | शून्य MPD उत्पादन ग्रेड (Z ग्रेड) | मानक उत्पादन ग्रेड (P ग्रेड) | डमी ग्रेड (D ग्रेड) |
| व्यास | ९९.५–१००.० मिमी | ||
| मोटाई (४H-Si) | ५०० माइक्रोमिटर ±२० माइक्रोमिटर | ५०० माइक्रोमिटर ±२५ माइक्रोमिटर | |
| वेफर अभिमुखीकरण | अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११-२०> ४H-N को लागि ±०.५°; अक्षमा: <०००१> ४H-Si को लागि ±०.५° | ||
| माइक्रोपाइप घनत्व (४H-Si) | ≤१ सेमी⁻² | ≤५ सेमी⁻² | ≤१५ सेमी⁻² |
| प्रतिरोधकता (४H-Si) | ≥१E९ Ω·सेमी | ≥१E५ Ω·सेमी | |
| प्राथमिक समतल अभिमुखीकरण | (१०-१०) ±५.०° | ||
| प्राथमिक समतल लम्बाइ | ३२.५ मिमी ±२.० मिमी | ||
| माध्यमिक समतल लम्बाइ | १८.० मिमी ±२.० मिमी | ||
| माध्यमिक समतल अभिमुखीकरण | सिलिकन फेस अप: प्राइम फ्ल्याट ±५.०° बाट ९०° CW | ||
| किनारा बहिष्करण | ३ मिमी | ||
| एलटिभी/टीटिभी/बो वार्प | ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| खस्रोपन (C अनुहार) | पोलिश | रा ≤१ एनएम | |
| खस्रोपन (Si अनुहार) | सीएमपी | रा ≤०.२ एनएम | रा ≤०.५ एनएम |
| उच्च तीव्रताको प्रकाशले किनारा फुट्छ | कुनै पनि होइन | संचयी लम्बाइ ≤१० मिमी; एकल लम्बाइ ≤२ मिमी | |
| उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा हेक्स प्लेटहरू | संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤०.१% |
| उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा पोलिटाइप क्षेत्रहरू | कुनै पनि होइन | संचयी क्षेत्रफल ≤३% | |
| दृश्य कार्बन समावेशीकरणहरू | संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤३% | |
| उच्च तीव्रताको प्रकाशले सिलिकन सतहमा खरोंच | कुनै पनि होइन | संचयी लम्बाइ ≤1 वेफर व्यास | |
| उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा किनारा चिप्स | कुनै पनि अनुमति छैन ≥०.२ मिमी चौडाइ र गहिराइ | ५ अनुमति दिइएको, ≤१ मिमी प्रत्येक | |
| उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा सिलिकन सतह प्रदूषण | कुनै पनि होइन | कुनै पनि होइन | |
| थ्रेडिङ स्क्रू विस्थापन | ≤५०० सेमी⁻² | लागू हुँदैन | |
| प्याकेजिङ | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर | ||
SiC वेफरको प्रयोग
-
EV इन्भर्टरहरूको लागि SiC वेफर पावर मोड्युलहरू
उच्च-गुणस्तरको SiC वेफर सब्सट्रेटहरूमा निर्मित SiC वेफर-आधारित MOSFET र डायोडहरूले अति-कम स्विचिङ हानि प्रदान गर्छन्। SiC वेफर प्रविधिको लाभ उठाएर, यी पावर मोड्युलहरूले उच्च भोल्टेज र तापक्रममा काम गर्छन्, जसले गर्दा अझ कुशल कर्षण इन्भर्टरहरू सक्षम हुन्छन्। SiC वेफर डाइजलाई पावर स्टेजहरूमा एकीकृत गर्नाले शीतलन आवश्यकताहरू र पदचिह्न कम हुन्छ, जसले SiC वेफर नवप्रवर्तनको पूर्ण क्षमता प्रदर्शन गर्दछ। -
SiC वेफरमा उच्च-फ्रिक्वेन्सी RF र 5G उपकरणहरू
अर्ध-इन्सुलेटिङ SiC वेफर प्लेटफर्महरूमा निर्मित RF एम्पलीफायरहरू र स्विचहरूले उत्कृष्ट थर्मल चालकता र ब्रेकडाउन भोल्टेज प्रदर्शन गर्छन्। SiC वेफर सब्सट्रेटले GHz फ्रिक्वेन्सीहरूमा डाइइलेक्ट्रिक हानिलाई कम गर्छ, जबकि SiC वेफरको सामग्री बलले उच्च-शक्ति, उच्च-तापमान अवस्थाहरूमा स्थिर सञ्चालनको लागि अनुमति दिन्छ - जसले गर्दा SiC वेफरलाई अर्को पुस्ताको 5G बेस स्टेशनहरू र रडार प्रणालीहरूको लागि रोजाइको सब्सट्रेट बनाउँछ। -
SiC वेफरबाट अप्टोइलेक्ट्रोनिक र LED सब्सट्रेटहरू
SiC वेफर सब्सट्रेटहरूमा उब्जाइएको नीलो र UV LED ले उत्कृष्ट जाली मिलान र ताप अपव्ययबाट फाइदा लिन्छ। पालिश गरिएको C-फेस SiC वेफर प्रयोग गर्दा एकरूप एपिटेक्सियल तहहरू सुनिश्चित हुन्छन्, जबकि SiC वेफरको अन्तर्निहित कठोरताले राम्रो वेफर पातलो पार्ने र भरपर्दो उपकरण प्याकेजिङ सक्षम बनाउँछ। यसले SiC वेफरलाई उच्च-शक्ति, लामो-जीवन LED अनुप्रयोगहरूको लागि जाने प्लेटफर्म बनाउँछ।
SiC वेफरको प्रश्नोत्तर
१. प्रश्न: SiC वेफरहरू कसरी उत्पादन गरिन्छ?
क:
SiC वेफरहरू निर्मितविस्तृत चरणहरू
-
SiC वेफर्सकच्चा पदार्थको तयारी
- ≥५N-ग्रेड SiC पाउडर (अशुद्धता ≤१ पीपीएम) प्रयोग गर्नुहोस्।
- बाँकी रहेको कार्बन वा नाइट्रोजन यौगिकहरू हटाउन छानेर पूर्व-बेक गर्नुहोस्।
-
SiCLanguageबीउ क्रिस्टल तयारी
-
४H-SiC सिंगल क्रिस्टलको टुक्रा लिनुहोस्, 〈०००१〉 अभिमुखीकरणमा ~१० × १० मिमी² मा काट्नुहोस्।
-
Ra ≤0.1 nm मा प्रेसिजन पोलिश र क्रिस्टल अभिमुखीकरण चिन्ह लगाउनुहोस्।
-
-
SiCLanguagePVT वृद्धि (भौतिक बाष्प परिवहन)
-
ग्रेफाइट क्रुसिबल लोड गर्नुहोस्: तल SiC पाउडरले, माथि बीउ क्रिस्टलले।
-
१०⁻³–१०⁻⁵ टोरमा खाली गर्नुहोस् वा १ एटीएममा उच्च-शुद्धता भएको हेलियमले ब्याकफिल गर्नुहोस्।
-
ताप स्रोत क्षेत्र २१००–२३०० ℃ मा, बीउ क्षेत्र १००–१५० ℃ चिसो राख्नुहोस्।
-
गुणस्तर र थ्रुपुट सन्तुलन गर्न १-५ मिमी/घण्टाको दरले वृद्धि दर नियन्त्रण गर्नुहोस्।
-
-
SiCLanguageइन्गट एनिलिङ
-
बढेको SiC इन्गटलाई १६००–१८०० ℃ मा ४–८ घण्टाको लागि एनिल गर्नुहोस्।
-
उद्देश्य: थर्मल तनाव कम गर्ने र विस्थापन घनत्व कम गर्ने।
-
-
SiCLanguageवेफर स्लाइसिङ
-
इन्गटलाई ०.५-१ मिमी बाक्लो वेफरमा काट्न हीराको तारको आरा प्रयोग गर्नुहोस्।
-
सूक्ष्म-चर्किनबाट बच्न कम्पन र पार्श्व बल कम गर्नुहोस्।
-
-
SiCLanguageवेफरपिस्ने र पालिस गर्ने
-
मोटो पिस्नेकाट्दा हुने क्षति (खस्रोपन ~१०–३० µm) हटाउन।
-
राम्रोसँग पिस्नेसमतलता ≤5 µm प्राप्त गर्न।
-
केमिकल-मेकानिकल पालिसिङ (CMP)ऐना जस्तो फिनिश (Ra ≤0.2 nm) पुग्न।
-
-
SiCLanguageवेफरसफाई र निरीक्षण
-
अल्ट्रासोनिक सफाईपिरान्हा समाधानमा (H₂SO₄:H₂O₂), DI पानी, त्यसपछि IPA।
-
XRD/रमन स्पेक्ट्रोस्कोपीपोलिटाइप (4H, 6H, 3C) पुष्टि गर्न।
-
इन्टरफेरोमेट्रीसमतलता (<५ µm) र ताना (<२० µm) मापन गर्न।
-
चार-बिन्दु प्रोबप्रतिरोधात्मकता परीक्षण गर्न (जस्तै HPSI ≥10⁹ Ω·cm)।
-
दोष निरीक्षणध्रुवीकृत प्रकाश माइक्रोस्कोप र स्क्र्याच परीक्षक अन्तर्गत।
-
-
SiCLanguageवेफरवर्गीकरण र क्रमबद्धता
-
पोलिटाइप र इलेक्ट्रिकल प्रकार अनुसार वेफरहरू क्रमबद्ध गर्नुहोस्:
-
४H-SiC N-प्रकार (४H-N): वाहक सांद्रता १०¹⁶–१०¹⁸ सेमी⁻³
-
४H-SiC उच्च शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिङ (४H-HPSI): प्रतिरोधकता ≥१०⁹ Ω·सेमी
-
६H-SiC N-प्रकार (६H-N)
-
अन्य: 3C-SiC, P-प्रकार, आदि।
-
-
-
SiCLanguageवेफरप्याकेजिङ र ढुवानी
-
सफा, धुलो-रहित वेफर बक्सहरूमा राख्नुहोस्।
-
प्रत्येक बक्समा व्यास, मोटाई, पोलिटाइप, प्रतिरोधकता ग्रेड र ब्याच नम्बर सहित लेबल लगाउनुहोस्।
-
२. प्रश्न: सिलिकन वेफरको तुलनामा SiC वेफरका मुख्य फाइदाहरू के के हुन्?
A: सिलिकन वेफरहरूको तुलनामा, SiC वेफरहरूले सक्षम बनाउँछन्:
-
उच्च भोल्टेज सञ्चालन(>१,२०० V) कम प्रतिरोधको साथ।
-
उच्च तापक्रम स्थिरता(>३०० डिग्री सेल्सियस) र सुधारिएको थर्मल व्यवस्थापन।
-
छिटो स्विचिङ गतिकम स्विचिङ घाटाका साथ, पावर कन्भर्टरहरूमा प्रणाली-स्तरको कूलिंग र आकार घटाउँदै।
४. प्रश्न: SiC वेफरको उपज र कार्यसम्पादनलाई कुन सामान्य दोषहरूले असर गर्छ?
A: SiC वेफरहरूमा भएका प्राथमिक दोषहरूमा माइक्रोपाइपहरू, बेसल प्लेन डिस्लोकेशनहरू (BPDs), र सतह स्क्र्याचहरू समावेश छन्। माइक्रोपाइपहरूले विनाशकारी उपकरण विफलता निम्त्याउन सक्छन्; BPDs ले समयसँगै अन-प्रतिरोध बढाउँछ; र सतह स्क्र्याचहरूले वेफर ब्रेकेज वा कमजोर एपिटेक्सियल वृद्धि निम्त्याउँछ। त्यसैले SiC वेफर उत्पादन अधिकतम बनाउन कडा निरीक्षण र दोष न्यूनीकरण आवश्यक छ।
पोस्ट समय: जुन-३०-२०२५