सिलिकन कार्बाइड वेफर्स: गुण, निर्माण, र अनुप्रयोगहरूको लागि एक व्यापक गाइड

SiC वेफरको सारांश

सिलिकन कार्बाइड (SiC) वेफरहरू अटोमोटिभ, नवीकरणीय ऊर्जा, र एयरोस्पेस क्षेत्रहरूमा उच्च-शक्ति, उच्च-फ्रिक्वेन्सी, र उच्च-तापमान इलेक्ट्रोनिक्सको लागि रोजाइको सब्सट्रेट बनेका छन्। हाम्रो पोर्टफोलियोले प्रमुख पोलिटाइपहरू र डोपिङ योजनाहरू समेट्छ - नाइट्रोजन-डोपेड 4H (4H-N), उच्च-शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग (HPSI), नाइट्रोजन-डोपेड 3C (3C-N), र p-प्रकार 4H/6H (4H/6H-P) - तीन गुणस्तर ग्रेडहरूमा प्रस्ताव गरिएको: PRIME (पूर्ण रूपमा पालिश गरिएको, उपकरण-ग्रेड सब्सट्रेटहरू), DUMMY (प्रक्रिया परीक्षणहरूको लागि ल्याप गरिएको वा अनपॉलिश गरिएको), र RESEARCH (R&D को लागि अनुकूलन एपि लेयरहरू र डोपिङ प्रोफाइलहरू)। वेफर व्यासहरू लिगेसी उपकरणहरू र उन्नत फ्याबहरू दुवै अनुरूप 2″, 4″, 6″, 8″, र 12″ फैलिन्छन्। हामी इन-हाउस क्रिस्टल वृद्धिलाई समर्थन गर्न मोनोक्रिस्टलाइन बुलहरू र सटीक रूपमा उन्मुख बीउ क्रिस्टलहरू पनि आपूर्ति गर्छौं।

हाम्रा ४H-N वेफरहरूमा १×१०¹⁶ देखि १×१०¹⁹ सेमी⁻³ सम्मको वाहक घनत्व र ०.०१–१० Ω·सेमी प्रतिरोधात्मकता रहेको छ, जसले २ MV/सेमी भन्दा माथि उत्कृष्ट इलेक्ट्रोन गतिशीलता र ब्रेकडाउन क्षेत्रहरू प्रदान गर्दछ — स्कट्की डायोडहरू, MOSFETs, र JFETs को लागि आदर्श। HPSI सब्सट्रेटहरू ०.१ सेमी⁻² भन्दा कम माइक्रोपाइप घनत्वको साथ १×१०¹² Ω·सेमी प्रतिरोधात्मकता भन्दा बढी हुन्छन्, RF र माइक्रोवेभ उपकरणहरूको लागि न्यूनतम चुहावट सुनिश्चित गर्दछ। २″ र ४″ ढाँचाहरूमा उपलब्ध क्यूबिक ३C-N ले सिलिकनमा हेटेरोएपिटेक्सी सक्षम बनाउँछ र नोभल फोटोनिक र MEMS अनुप्रयोगहरूलाई समर्थन गर्दछ। P-प्रकार ४H/६H-P वेफरहरू, १×१०¹⁶–५×१०¹⁸ सेमी⁻³ सम्म एल्युमिनियमसँग डोप गरिएको, पूरक उपकरण आर्किटेक्चरलाई सहज बनाउँछ।

PRIME वेफर्सले <0.2 nm RMS सतहको खुरदरापन, कुल मोटाई ३ µm भन्दा कम र धनु <१० µm सम्म रासायनिक-यान्त्रिक पालिसिङबाट गुज्रिन्छन्। DUMMY सब्सट्रेटहरूले एसेम्बली र प्याकेजिङ परीक्षणहरूलाई गति दिन्छन्, जबकि RESEARCH वेफर्समा २-३० µm को एपि-लेयर मोटाई र बेस्पोक डोपिङ हुन्छ। सबै उत्पादनहरू एक्स-रे विवर्तन (रकिंग कर्भ <३० आर्कसेक) र रमन स्पेक्ट्रोस्कोपीद्वारा प्रमाणित हुन्छन्, जसमा विद्युतीय परीक्षणहरू - हल मापन, C-V प्रोफाइलिङ, र माइक्रोपाइप स्क्यानिङ - JEDEC र SEMI अनुपालन सुनिश्चित गरिन्छ।

१५० मिमी व्यास सम्मका बाउलहरू PVT र CVD मार्फत १×१०³ cm⁻² भन्दा कम विस्थापन घनत्व र कम माइक्रोपाइप गणना भएका हुन्छन्। पुनरुत्पादन योग्य वृद्धि र उच्च स्लाइसिङ उपजको ग्यारेन्टी गर्न बीउ क्रिस्टलहरू c-अक्षको ०.१° भित्र काटिन्छन्।

धेरै पोलिटाइपहरू, डोपिङ भेरियन्टहरू, गुणस्तर ग्रेडहरू, वेफर आकारहरू, र इन-हाउस बाउल र बीउ-क्रिस्टल उत्पादनलाई संयोजन गरेर, हाम्रो SiC सब्सट्रेट प्लेटफर्मले आपूर्ति शृङ्खलाहरूलाई सुव्यवस्थित गर्दछ र विद्युतीय सवारी साधनहरू, स्मार्ट ग्रिडहरू, र कठोर-वातावरणीय अनुप्रयोगहरूको लागि उपकरण विकासलाई गति दिन्छ।

SiC वेफरको सारांश

सिलिकन कार्बाइड (SiC) वेफरहरू अटोमोटिभ, नवीकरणीय ऊर्जा, र एयरोस्पेस क्षेत्रहरूमा उच्च-शक्ति, उच्च-फ्रिक्वेन्सी, र उच्च-तापमान इलेक्ट्रोनिक्सको लागि रोजाइको सब्सट्रेट बनेका छन्। हाम्रो पोर्टफोलियोले प्रमुख पोलिटाइपहरू र डोपिङ योजनाहरू समेट्छ - नाइट्रोजन-डोपेड 4H (4H-N), उच्च-शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग (HPSI), नाइट्रोजन-डोपेड 3C (3C-N), र p-प्रकार 4H/6H (4H/6H-P) - तीन गुणस्तर ग्रेडहरूमा प्रस्ताव गरिएको: PRIME (पूर्ण रूपमा पालिश गरिएको, उपकरण-ग्रेड सब्सट्रेटहरू), DUMMY (प्रक्रिया परीक्षणहरूको लागि ल्याप गरिएको वा अनपॉलिश गरिएको), र RESEARCH (R&D को लागि अनुकूलन एपि लेयरहरू र डोपिङ प्रोफाइलहरू)। वेफर व्यासहरू लिगेसी उपकरणहरू र उन्नत फ्याबहरू दुवै अनुरूप 2″, 4″, 6″, 8″, र 12″ फैलिन्छन्। हामी इन-हाउस क्रिस्टल वृद्धिलाई समर्थन गर्न मोनोक्रिस्टलाइन बुलहरू र सटीक रूपमा उन्मुख बीउ क्रिस्टलहरू पनि आपूर्ति गर्छौं।

हाम्रा ४H-N वेफरहरूमा १×१०¹⁶ देखि १×१०¹⁹ सेमी⁻³ सम्मको वाहक घनत्व र ०.०१–१० Ω·सेमी प्रतिरोधात्मकता रहेको छ, जसले २ MV/सेमी भन्दा माथि उत्कृष्ट इलेक्ट्रोन गतिशीलता र ब्रेकडाउन क्षेत्रहरू प्रदान गर्दछ — स्कट्की डायोडहरू, MOSFETs, र JFETs को लागि आदर्श। HPSI सब्सट्रेटहरू ०.१ सेमी⁻² भन्दा कम माइक्रोपाइप घनत्वको साथ १×१०¹² Ω·सेमी प्रतिरोधात्मकता भन्दा बढी हुन्छन्, RF र माइक्रोवेभ उपकरणहरूको लागि न्यूनतम चुहावट सुनिश्चित गर्दछ। २″ र ४″ ढाँचाहरूमा उपलब्ध क्यूबिक ३C-N ले सिलिकनमा हेटेरोएपिटेक्सी सक्षम बनाउँछ र नोभल फोटोनिक र MEMS अनुप्रयोगहरूलाई समर्थन गर्दछ। P-प्रकार ४H/६H-P वेफरहरू, १×१०¹⁶–५×१०¹⁸ सेमी⁻³ सम्म एल्युमिनियमसँग डोप गरिएको, पूरक उपकरण आर्किटेक्चरलाई सहज बनाउँछ।

PRIME वेफर्सले <0.2 nm RMS सतहको खुरदरापन, कुल मोटाई ३ µm भन्दा कम र धनु <१० µm सम्म रासायनिक-यान्त्रिक पालिसिङबाट गुज्रिन्छन्। DUMMY सब्सट्रेटहरूले एसेम्बली र प्याकेजिङ परीक्षणहरूलाई गति दिन्छन्, जबकि RESEARCH वेफर्समा २-३० µm को एपि-लेयर मोटाई र बेस्पोक डोपिङ हुन्छ। सबै उत्पादनहरू एक्स-रे विवर्तन (रकिंग कर्भ <३० आर्कसेक) र रमन स्पेक्ट्रोस्कोपीद्वारा प्रमाणित हुन्छन्, जसमा विद्युतीय परीक्षणहरू - हल मापन, C-V प्रोफाइलिङ, र माइक्रोपाइप स्क्यानिङ - JEDEC र SEMI अनुपालन सुनिश्चित गरिन्छ।

१५० मिमी व्यास सम्मका बाउलहरू PVT र CVD मार्फत १×१०³ cm⁻² भन्दा कम विस्थापन घनत्व र कम माइक्रोपाइप गणना भएका हुन्छन्। पुनरुत्पादन योग्य वृद्धि र उच्च स्लाइसिङ उपजको ग्यारेन्टी गर्न बीउ क्रिस्टलहरू c-अक्षको ०.१° भित्र काटिन्छन्।

धेरै पोलिटाइपहरू, डोपिङ भेरियन्टहरू, गुणस्तर ग्रेडहरू, वेफर आकारहरू, र इन-हाउस बाउल र बीउ-क्रिस्टल उत्पादनलाई संयोजन गरेर, हाम्रो SiC सब्सट्रेट प्लेटफर्मले आपूर्ति शृङ्खलाहरूलाई सुव्यवस्थित गर्दछ र विद्युतीय सवारी साधनहरू, स्मार्ट ग्रिडहरू, र कठोर-वातावरणीय अनुप्रयोगहरूको लागि उपकरण विकासलाई गति दिन्छ।

SiC वेफरको तस्वीर

SiC वेफर ००१०१
SiC अर्ध-इन्सुलेटिङ०४
SiC वेफर
SiC इन्गट१४

६ इन्च ४H-N प्रकारको SiC वेफरको डाटा पाना

 

६ इन्चको SiC वेफर्स डाटा शीट
प्यारामिटर उप-प्यारामिटर Z ग्रेड पी ग्रेड डी ग्रेड
व्यास १४९.५–१५०.० मिमी १४९.५–१५०.० मिमी १४९.५–१५०.० मिमी
मोटाई ४ घण्टा उत्तर ३५० माइक्रोमिटर ± १५ माइक्रोमिटर ३५० माइक्रोमिटर ± २५ माइक्रोमिटर ३५० माइक्रोमिटर ± २५ माइक्रोमिटर
मोटाई ४H‑SI ५०० माइक्रोमिटर ± १५ माइक्रोमिटर ५०० माइक्रोमिटर ± २५ माइक्रोमिटर ५०० माइक्रोमिटर ± २५ माइक्रोमिटर
वेफर अभिमुखीकरण अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११-२०> ±०.५° (४H-N); अक्षमा: <०००१> ±०.५° (४H-SI) अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११-२०> ±०.५° (४H-N); अक्षमा: <०००१> ±०.५° (४H-SI) अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११-२०> ±०.५° (४H-N); अक्षमा: <०००१> ±०.५° (४H-SI)
माइक्रोपाइप घनत्व ४ घण्टा उत्तर ≤ ०.२ सेमी⁻² ≤ २ सेमी⁻² ≤ १५ सेमी⁻²
माइक्रोपाइप घनत्व ४H‑SI ≤ १ सेमी⁻² ≤ ५ सेमी⁻² ≤ १५ सेमी⁻²
प्रतिरोधात्मकता ४ घण्टा उत्तर ०.०१५–०.०२४ Ω·सेमी ०.०१५–०.०२८ Ω·सेमी ०.०१५–०.०२८ Ω·सेमी
प्रतिरोधात्मकता ४H‑SI ≥ १×१०¹⁰ Ω·सेमी ≥ १×१०⁵ Ω·सेमी
प्राथमिक समतल अभिमुखीकरण [१०-१०] ± ५.०° [१०-१०] ± ५.०° [१०-१०] ± ५.०°
प्राथमिक समतल लम्बाइ ४ घण्टा उत्तर ४७.५ मिमी ± २.० मिमी
प्राथमिक समतल लम्बाइ ४H‑SI खाच
किनारा बहिष्करण ३ मिमी
ताना/एलटीभी/टीटीभी/धनुष ≤2.5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm
खस्रोपन पोलिश रा ≤ १ एनएम
खस्रोपन सीएमपी रा ≤ ०.२ एनएम रा ≤ ०.५ एनएम
किनारा दरारहरू कुनै पनि होइन संचयी लम्बाइ ≤ २० मिमी, एकल ≤ २ मिमी
हेक्स प्लेटहरू संचयी क्षेत्रफल ≤ ०.०५% संचयी क्षेत्रफल ≤ ०.१% संचयी क्षेत्रफल ≤ १%
पोलिटाइप क्षेत्रहरू कुनै पनि होइन संचयी क्षेत्रफल ≤ ३% संचयी क्षेत्रफल ≤ ३%
कार्बन समावेशीकरणहरू संचयी क्षेत्रफल ≤ ०.०५% संचयी क्षेत्रफल ≤ ३%
सतह खरोंचहरू कुनै पनि होइन संचयी लम्बाइ ≤ १ × वेफर व्यास
एज चिप्स कुनै पनि अनुमति छैन ≥ ०.२ मिमी चौडाइ र गहिराइ ७ वटा चिप्ससम्म, ≤ १ मिमी प्रत्येक
TSD (थ्रेडिङ स्क्रू विस्थापन) ≤ ५०० सेमी⁻² लागू हुँदैन
BPD (आधार विमान विस्थापन) ≤ १००० सेमी⁻² लागू हुँदैन
सतह प्रदूषण कुनै पनि होइन
प्याकेजिङ बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर

४ इन्च ४H-N प्रकारको SiC वेफरको डाटा पाना

 

४ इन्चको SiC वेफरको डाटा शीट
प्यारामिटर शून्य MPD उत्पादन मानक उत्पादन ग्रेड (P ग्रेड) डमी ग्रेड (D ग्रेड)
व्यास ९९.५ मिमी–१००.० मिमी
मोटाई (४ घण्टा देखि उचाइ सम्म) ३५० माइक्रोमिटर±१५ माइक्रोमिटर ३५० माइक्रोमिटर±२५ माइक्रोमिटर
मोटाई (४H-Si) ५०० माइक्रोमिटर±१५ माइक्रोमिटर ५०० माइक्रोमिटर±२५ माइक्रोमिटर
वेफर अभिमुखीकरण अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११२०> 4H-N को लागि ±०.५°; अक्षमा: <०००१> 4H-Si को लागि ±०.५°
माइक्रोपाइप घनत्व (४H-N) ≤०.२ सेमी⁻² ≤२ सेमी⁻² ≤१५ सेमी⁻²
माइक्रोपाइप घनत्व (४H-Si) ≤१ सेमी⁻² ≤५ सेमी⁻² ≤१५ सेमी⁻²
प्रतिरोधकता (४H-N) ०.०१५–०.०२४ Ω·सेमी ०.०१५–०.०२८ Ω·सेमी
प्रतिरोधकता (४H-Si) ≥१E१० Ω·सेमी ≥१E५ Ω·सेमी
प्राथमिक समतल अभिमुखीकरण [१०-१०] ±५.०°
प्राथमिक समतल लम्बाइ ३२.५ मिमी ±२.० मिमी
माध्यमिक समतल लम्बाइ १८.० मिमी ±२.० मिमी
माध्यमिक समतल अभिमुखीकरण सिलिकन फेस अप: प्राइम फ्ल्याट ±५.०° बाट ९०° CW
किनारा बहिष्करण ३ मिमी
एलटिभी/टीटिभी/बो वार्प ≤2.5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
खस्रोपन पोलिश रा ≤१ एनएम; सीएमपी रा ≤०.२ एनएम रा ≤०.५ एनएम
उच्च तीव्रताको प्रकाशले किनारा फुट्छ कुनै पनि होइन कुनै पनि होइन संचयी लम्बाइ ≤१० मिमी; एकल लम्बाइ ≤२ मिमी
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा हेक्स प्लेटहरू संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% संचयी क्षेत्रफल ≤०.१%
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा पोलिटाइप क्षेत्रहरू कुनै पनि होइन संचयी क्षेत्रफल ≤३%
दृश्य कार्बन समावेशीकरणहरू संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% संचयी क्षेत्रफल ≤३%
उच्च तीव्रताको प्रकाशले सिलिकन सतहमा खरोंच कुनै पनि होइन संचयी लम्बाइ ≤1 वेफर व्यास
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा किनारा चिप्स कुनै पनि अनुमति छैन ≥०.२ मिमी चौडाइ र गहिराइ ५ अनुमति दिइएको, ≤१ मिमी प्रत्येक
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा सिलिकन सतह प्रदूषण कुनै पनि होइन
थ्रेडिङ स्क्रू विस्थापन ≤५०० सेमी⁻² लागू हुँदैन
प्याकेजिङ बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर

४ इन्चको HPSI प्रकारको SiC वेफरको डाटा शीट

 

४ इन्चको HPSI प्रकारको SiC वेफरको डाटा शीट
प्यारामिटर शून्य MPD उत्पादन ग्रेड (Z ग्रेड) मानक उत्पादन ग्रेड (P ग्रेड) डमी ग्रेड (D ग्रेड)
व्यास ९९.५–१००.० मिमी
मोटाई (४H-Si) ५०० माइक्रोमिटर ±२० माइक्रोमिटर ५०० माइक्रोमिटर ±२५ माइक्रोमिटर
वेफर अभिमुखीकरण अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११-२०> ४H-N को लागि ±०.५°; अक्षमा: <०००१> ४H-Si को लागि ±०.५°
माइक्रोपाइप घनत्व (४H-Si) ≤१ सेमी⁻² ≤५ सेमी⁻² ≤१५ सेमी⁻²
प्रतिरोधकता (४H-Si) ≥१E९ Ω·सेमी ≥१E५ Ω·सेमी
प्राथमिक समतल अभिमुखीकरण (१०-१०) ±५.०°
प्राथमिक समतल लम्बाइ ३२.५ मिमी ±२.० मिमी
माध्यमिक समतल लम्बाइ १८.० मिमी ±२.० मिमी
माध्यमिक समतल अभिमुखीकरण सिलिकन फेस अप: प्राइम फ्ल्याट ±५.०° बाट ९०° CW
किनारा बहिष्करण ३ मिमी
एलटिभी/टीटिभी/बो वार्प ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
खस्रोपन (C अनुहार) पोलिश रा ≤१ एनएम
खस्रोपन (Si अनुहार) सीएमपी रा ≤०.२ एनएम रा ≤०.५ एनएम
उच्च तीव्रताको प्रकाशले किनारा फुट्छ कुनै पनि होइन संचयी लम्बाइ ≤१० मिमी; एकल लम्बाइ ≤२ मिमी
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा हेक्स प्लेटहरू संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% संचयी क्षेत्रफल ≤०.१%
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा पोलिटाइप क्षेत्रहरू कुनै पनि होइन संचयी क्षेत्रफल ≤३%
दृश्य कार्बन समावेशीकरणहरू संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% संचयी क्षेत्रफल ≤३%
उच्च तीव्रताको प्रकाशले सिलिकन सतहमा खरोंच कुनै पनि होइन संचयी लम्बाइ ≤1 वेफर व्यास
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा किनारा चिप्स कुनै पनि अनुमति छैन ≥०.२ मिमी चौडाइ र गहिराइ ५ अनुमति दिइएको, ≤१ मिमी प्रत्येक
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा सिलिकन सतह प्रदूषण कुनै पनि होइन कुनै पनि होइन
थ्रेडिङ स्क्रू विस्थापन ≤५०० सेमी⁻² लागू हुँदैन
प्याकेजिङ बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर


पोस्ट समय: जुन-३०-२०२५