SiC वेफरको सारांश
सिलिकन कार्बाइड (SiC) वेफरहरू अटोमोटिभ, नवीकरणीय ऊर्जा, र एयरोस्पेस क्षेत्रहरूमा उच्च-शक्ति, उच्च-फ्रिक्वेन्सी, र उच्च-तापमान इलेक्ट्रोनिक्सको लागि रोजाइको सब्सट्रेट बनेका छन्। हाम्रो पोर्टफोलियोले प्रमुख पोलिटाइपहरू र डोपिङ योजनाहरू समेट्छ - नाइट्रोजन-डोपेड 4H (4H-N), उच्च-शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग (HPSI), नाइट्रोजन-डोपेड 3C (3C-N), र p-प्रकार 4H/6H (4H/6H-P) - तीन गुणस्तर ग्रेडहरूमा प्रस्ताव गरिएको: PRIME (पूर्ण रूपमा पालिश गरिएको, उपकरण-ग्रेड सब्सट्रेटहरू), DUMMY (प्रक्रिया परीक्षणहरूको लागि ल्याप गरिएको वा अनपॉलिश गरिएको), र RESEARCH (R&D को लागि अनुकूलन एपि लेयरहरू र डोपिङ प्रोफाइलहरू)। वेफर व्यासहरू लिगेसी उपकरणहरू र उन्नत फ्याबहरू दुवै अनुरूप 2″, 4″, 6″, 8″, र 12″ फैलिन्छन्। हामी इन-हाउस क्रिस्टल वृद्धिलाई समर्थन गर्न मोनोक्रिस्टलाइन बुलहरू र सटीक रूपमा उन्मुख बीउ क्रिस्टलहरू पनि आपूर्ति गर्छौं।
हाम्रा ४H-N वेफरहरूमा १×१०¹⁶ देखि १×१०¹⁹ सेमी⁻³ सम्मको वाहक घनत्व र ०.०१–१० Ω·सेमी प्रतिरोधात्मकता रहेको छ, जसले २ MV/सेमी भन्दा माथि उत्कृष्ट इलेक्ट्रोन गतिशीलता र ब्रेकडाउन क्षेत्रहरू प्रदान गर्दछ — स्कट्की डायोडहरू, MOSFETs, र JFETs को लागि आदर्श। HPSI सब्सट्रेटहरू ०.१ सेमी⁻² भन्दा कम माइक्रोपाइप घनत्वको साथ १×१०¹² Ω·सेमी प्रतिरोधात्मकता भन्दा बढी हुन्छन्, RF र माइक्रोवेभ उपकरणहरूको लागि न्यूनतम चुहावट सुनिश्चित गर्दछ। २″ र ४″ ढाँचाहरूमा उपलब्ध क्यूबिक ३C-N ले सिलिकनमा हेटेरोएपिटेक्सी सक्षम बनाउँछ र नोभल फोटोनिक र MEMS अनुप्रयोगहरूलाई समर्थन गर्दछ। P-प्रकार ४H/६H-P वेफरहरू, १×१०¹⁶–५×१०¹⁸ सेमी⁻³ सम्म एल्युमिनियमसँग डोप गरिएको, पूरक उपकरण आर्किटेक्चरलाई सहज बनाउँछ।
PRIME वेफर्सले <0.2 nm RMS सतहको खुरदरापन, कुल मोटाई ३ µm भन्दा कम र धनु <१० µm सम्म रासायनिक-यान्त्रिक पालिसिङबाट गुज्रिन्छन्। DUMMY सब्सट्रेटहरूले एसेम्बली र प्याकेजिङ परीक्षणहरूलाई गति दिन्छन्, जबकि RESEARCH वेफर्समा २-३० µm को एपि-लेयर मोटाई र बेस्पोक डोपिङ हुन्छ। सबै उत्पादनहरू एक्स-रे विवर्तन (रकिंग कर्भ <३० आर्कसेक) र रमन स्पेक्ट्रोस्कोपीद्वारा प्रमाणित हुन्छन्, जसमा विद्युतीय परीक्षणहरू - हल मापन, C-V प्रोफाइलिङ, र माइक्रोपाइप स्क्यानिङ - JEDEC र SEMI अनुपालन सुनिश्चित गरिन्छ।
१५० मिमी व्यास सम्मका बाउलहरू PVT र CVD मार्फत १×१०³ cm⁻² भन्दा कम विस्थापन घनत्व र कम माइक्रोपाइप गणना भएका हुन्छन्। पुनरुत्पादन योग्य वृद्धि र उच्च स्लाइसिङ उपजको ग्यारेन्टी गर्न बीउ क्रिस्टलहरू c-अक्षको ०.१° भित्र काटिन्छन्।
धेरै पोलिटाइपहरू, डोपिङ भेरियन्टहरू, गुणस्तर ग्रेडहरू, वेफर आकारहरू, र इन-हाउस बाउल र बीउ-क्रिस्टल उत्पादनलाई संयोजन गरेर, हाम्रो SiC सब्सट्रेट प्लेटफर्मले आपूर्ति शृङ्खलाहरूलाई सुव्यवस्थित गर्दछ र विद्युतीय सवारी साधनहरू, स्मार्ट ग्रिडहरू, र कठोर-वातावरणीय अनुप्रयोगहरूको लागि उपकरण विकासलाई गति दिन्छ।
SiC वेफरको सारांश
सिलिकन कार्बाइड (SiC) वेफरहरू अटोमोटिभ, नवीकरणीय ऊर्जा, र एयरोस्पेस क्षेत्रहरूमा उच्च-शक्ति, उच्च-फ्रिक्वेन्सी, र उच्च-तापमान इलेक्ट्रोनिक्सको लागि रोजाइको सब्सट्रेट बनेका छन्। हाम्रो पोर्टफोलियोले प्रमुख पोलिटाइपहरू र डोपिङ योजनाहरू समेट्छ - नाइट्रोजन-डोपेड 4H (4H-N), उच्च-शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग (HPSI), नाइट्रोजन-डोपेड 3C (3C-N), र p-प्रकार 4H/6H (4H/6H-P) - तीन गुणस्तर ग्रेडहरूमा प्रस्ताव गरिएको: PRIME (पूर्ण रूपमा पालिश गरिएको, उपकरण-ग्रेड सब्सट्रेटहरू), DUMMY (प्रक्रिया परीक्षणहरूको लागि ल्याप गरिएको वा अनपॉलिश गरिएको), र RESEARCH (R&D को लागि अनुकूलन एपि लेयरहरू र डोपिङ प्रोफाइलहरू)। वेफर व्यासहरू लिगेसी उपकरणहरू र उन्नत फ्याबहरू दुवै अनुरूप 2″, 4″, 6″, 8″, र 12″ फैलिन्छन्। हामी इन-हाउस क्रिस्टल वृद्धिलाई समर्थन गर्न मोनोक्रिस्टलाइन बुलहरू र सटीक रूपमा उन्मुख बीउ क्रिस्टलहरू पनि आपूर्ति गर्छौं।
हाम्रा ४H-N वेफरहरूमा १×१०¹⁶ देखि १×१०¹⁹ सेमी⁻³ सम्मको वाहक घनत्व र ०.०१–१० Ω·सेमी प्रतिरोधात्मकता रहेको छ, जसले २ MV/सेमी भन्दा माथि उत्कृष्ट इलेक्ट्रोन गतिशीलता र ब्रेकडाउन क्षेत्रहरू प्रदान गर्दछ — स्कट्की डायोडहरू, MOSFETs, र JFETs को लागि आदर्श। HPSI सब्सट्रेटहरू ०.१ सेमी⁻² भन्दा कम माइक्रोपाइप घनत्वको साथ १×१०¹² Ω·सेमी प्रतिरोधात्मकता भन्दा बढी हुन्छन्, RF र माइक्रोवेभ उपकरणहरूको लागि न्यूनतम चुहावट सुनिश्चित गर्दछ। २″ र ४″ ढाँचाहरूमा उपलब्ध क्यूबिक ३C-N ले सिलिकनमा हेटेरोएपिटेक्सी सक्षम बनाउँछ र नोभल फोटोनिक र MEMS अनुप्रयोगहरूलाई समर्थन गर्दछ। P-प्रकार ४H/६H-P वेफरहरू, १×१०¹⁶–५×१०¹⁸ सेमी⁻³ सम्म एल्युमिनियमसँग डोप गरिएको, पूरक उपकरण आर्किटेक्चरलाई सहज बनाउँछ।
PRIME वेफर्सले <0.2 nm RMS सतहको खुरदरापन, कुल मोटाई ३ µm भन्दा कम र धनु <१० µm सम्म रासायनिक-यान्त्रिक पालिसिङबाट गुज्रिन्छन्। DUMMY सब्सट्रेटहरूले एसेम्बली र प्याकेजिङ परीक्षणहरूलाई गति दिन्छन्, जबकि RESEARCH वेफर्समा २-३० µm को एपि-लेयर मोटाई र बेस्पोक डोपिङ हुन्छ। सबै उत्पादनहरू एक्स-रे विवर्तन (रकिंग कर्भ <३० आर्कसेक) र रमन स्पेक्ट्रोस्कोपीद्वारा प्रमाणित हुन्छन्, जसमा विद्युतीय परीक्षणहरू - हल मापन, C-V प्रोफाइलिङ, र माइक्रोपाइप स्क्यानिङ - JEDEC र SEMI अनुपालन सुनिश्चित गरिन्छ।
१५० मिमी व्यास सम्मका बाउलहरू PVT र CVD मार्फत १×१०³ cm⁻² भन्दा कम विस्थापन घनत्व र कम माइक्रोपाइप गणना भएका हुन्छन्। पुनरुत्पादन योग्य वृद्धि र उच्च स्लाइसिङ उपजको ग्यारेन्टी गर्न बीउ क्रिस्टलहरू c-अक्षको ०.१° भित्र काटिन्छन्।
धेरै पोलिटाइपहरू, डोपिङ भेरियन्टहरू, गुणस्तर ग्रेडहरू, वेफर आकारहरू, र इन-हाउस बाउल र बीउ-क्रिस्टल उत्पादनलाई संयोजन गरेर, हाम्रो SiC सब्सट्रेट प्लेटफर्मले आपूर्ति शृङ्खलाहरूलाई सुव्यवस्थित गर्दछ र विद्युतीय सवारी साधनहरू, स्मार्ट ग्रिडहरू, र कठोर-वातावरणीय अनुप्रयोगहरूको लागि उपकरण विकासलाई गति दिन्छ।
SiC वेफरको तस्वीर




६ इन्च ४H-N प्रकारको SiC वेफरको डाटा पाना
६ इन्चको SiC वेफर्स डाटा शीट | ||||
प्यारामिटर | उप-प्यारामिटर | Z ग्रेड | पी ग्रेड | डी ग्रेड |
व्यास | १४९.५–१५०.० मिमी | १४९.५–१५०.० मिमी | १४९.५–१५०.० मिमी | |
मोटाई | ४ घण्टा उत्तर | ३५० माइक्रोमिटर ± १५ माइक्रोमिटर | ३५० माइक्रोमिटर ± २५ माइक्रोमिटर | ३५० माइक्रोमिटर ± २५ माइक्रोमिटर |
मोटाई | ४H‑SI | ५०० माइक्रोमिटर ± १५ माइक्रोमिटर | ५०० माइक्रोमिटर ± २५ माइक्रोमिटर | ५०० माइक्रोमिटर ± २५ माइक्रोमिटर |
वेफर अभिमुखीकरण | अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११-२०> ±०.५° (४H-N); अक्षमा: <०००१> ±०.५° (४H-SI) | अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११-२०> ±०.५° (४H-N); अक्षमा: <०००१> ±०.५° (४H-SI) | अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११-२०> ±०.५° (४H-N); अक्षमा: <०००१> ±०.५° (४H-SI) | |
माइक्रोपाइप घनत्व | ४ घण्टा उत्तर | ≤ ०.२ सेमी⁻² | ≤ २ सेमी⁻² | ≤ १५ सेमी⁻² |
माइक्रोपाइप घनत्व | ४H‑SI | ≤ १ सेमी⁻² | ≤ ५ सेमी⁻² | ≤ १५ सेमी⁻² |
प्रतिरोधात्मकता | ४ घण्टा उत्तर | ०.०१५–०.०२४ Ω·सेमी | ०.०१५–०.०२८ Ω·सेमी | ०.०१५–०.०२८ Ω·सेमी |
प्रतिरोधात्मकता | ४H‑SI | ≥ १×१०¹⁰ Ω·सेमी | ≥ १×१०⁵ Ω·सेमी | |
प्राथमिक समतल अभिमुखीकरण | [१०-१०] ± ५.०° | [१०-१०] ± ५.०° | [१०-१०] ± ५.०° | |
प्राथमिक समतल लम्बाइ | ४ घण्टा उत्तर | ४७.५ मिमी ± २.० मिमी | ||
प्राथमिक समतल लम्बाइ | ४H‑SI | खाच | ||
किनारा बहिष्करण | ३ मिमी | |||
ताना/एलटीभी/टीटीभी/धनुष | ≤2.5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm | ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm | ||
खस्रोपन | पोलिश | रा ≤ १ एनएम | ||
खस्रोपन | सीएमपी | रा ≤ ०.२ एनएम | रा ≤ ०.५ एनएम | |
किनारा दरारहरू | कुनै पनि होइन | संचयी लम्बाइ ≤ २० मिमी, एकल ≤ २ मिमी | ||
हेक्स प्लेटहरू | संचयी क्षेत्रफल ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤ ०.१% | संचयी क्षेत्रफल ≤ १% | |
पोलिटाइप क्षेत्रहरू | कुनै पनि होइन | संचयी क्षेत्रफल ≤ ३% | संचयी क्षेत्रफल ≤ ३% | |
कार्बन समावेशीकरणहरू | संचयी क्षेत्रफल ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤ ३% | ||
सतह खरोंचहरू | कुनै पनि होइन | संचयी लम्बाइ ≤ १ × वेफर व्यास | ||
एज चिप्स | कुनै पनि अनुमति छैन ≥ ०.२ मिमी चौडाइ र गहिराइ | ७ वटा चिप्ससम्म, ≤ १ मिमी प्रत्येक | ||
TSD (थ्रेडिङ स्क्रू विस्थापन) | ≤ ५०० सेमी⁻² | लागू हुँदैन | ||
BPD (आधार विमान विस्थापन) | ≤ १००० सेमी⁻² | लागू हुँदैन | ||
सतह प्रदूषण | कुनै पनि होइन | |||
प्याकेजिङ | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर |
४ इन्च ४H-N प्रकारको SiC वेफरको डाटा पाना
४ इन्चको SiC वेफरको डाटा शीट | |||
प्यारामिटर | शून्य MPD उत्पादन | मानक उत्पादन ग्रेड (P ग्रेड) | डमी ग्रेड (D ग्रेड) |
व्यास | ९९.५ मिमी–१००.० मिमी | ||
मोटाई (४ घण्टा देखि उचाइ सम्म) | ३५० माइक्रोमिटर±१५ माइक्रोमिटर | ३५० माइक्रोमिटर±२५ माइक्रोमिटर | |
मोटाई (४H-Si) | ५०० माइक्रोमिटर±१५ माइक्रोमिटर | ५०० माइक्रोमिटर±२५ माइक्रोमिटर | |
वेफर अभिमुखीकरण | अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११२०> 4H-N को लागि ±०.५°; अक्षमा: <०००१> 4H-Si को लागि ±०.५° | ||
माइक्रोपाइप घनत्व (४H-N) | ≤०.२ सेमी⁻² | ≤२ सेमी⁻² | ≤१५ सेमी⁻² |
माइक्रोपाइप घनत्व (४H-Si) | ≤१ सेमी⁻² | ≤५ सेमी⁻² | ≤१५ सेमी⁻² |
प्रतिरोधकता (४H-N) | ०.०१५–०.०२४ Ω·सेमी | ०.०१५–०.०२८ Ω·सेमी | |
प्रतिरोधकता (४H-Si) | ≥१E१० Ω·सेमी | ≥१E५ Ω·सेमी | |
प्राथमिक समतल अभिमुखीकरण | [१०-१०] ±५.०° | ||
प्राथमिक समतल लम्बाइ | ३२.५ मिमी ±२.० मिमी | ||
माध्यमिक समतल लम्बाइ | १८.० मिमी ±२.० मिमी | ||
माध्यमिक समतल अभिमुखीकरण | सिलिकन फेस अप: प्राइम फ्ल्याट ±५.०° बाट ९०° CW | ||
किनारा बहिष्करण | ३ मिमी | ||
एलटिभी/टीटिभी/बो वार्प | ≤2.5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
खस्रोपन | पोलिश रा ≤१ एनएम; सीएमपी रा ≤०.२ एनएम | रा ≤०.५ एनएम | |
उच्च तीव्रताको प्रकाशले किनारा फुट्छ | कुनै पनि होइन | कुनै पनि होइन | संचयी लम्बाइ ≤१० मिमी; एकल लम्बाइ ≤२ मिमी |
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा हेक्स प्लेटहरू | संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤०.१% |
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा पोलिटाइप क्षेत्रहरू | कुनै पनि होइन | संचयी क्षेत्रफल ≤३% | |
दृश्य कार्बन समावेशीकरणहरू | संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤३% | |
उच्च तीव्रताको प्रकाशले सिलिकन सतहमा खरोंच | कुनै पनि होइन | संचयी लम्बाइ ≤1 वेफर व्यास | |
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा किनारा चिप्स | कुनै पनि अनुमति छैन ≥०.२ मिमी चौडाइ र गहिराइ | ५ अनुमति दिइएको, ≤१ मिमी प्रत्येक | |
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा सिलिकन सतह प्रदूषण | कुनै पनि होइन | ||
थ्रेडिङ स्क्रू विस्थापन | ≤५०० सेमी⁻² | लागू हुँदैन | |
प्याकेजिङ | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर |
४ इन्चको HPSI प्रकारको SiC वेफरको डाटा शीट
४ इन्चको HPSI प्रकारको SiC वेफरको डाटा शीट | |||
प्यारामिटर | शून्य MPD उत्पादन ग्रेड (Z ग्रेड) | मानक उत्पादन ग्रेड (P ग्रेड) | डमी ग्रेड (D ग्रेड) |
व्यास | ९९.५–१००.० मिमी | ||
मोटाई (४H-Si) | ५०० माइक्रोमिटर ±२० माइक्रोमिटर | ५०० माइक्रोमिटर ±२५ माइक्रोमिटर | |
वेफर अभिमुखीकरण | अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११-२०> ४H-N को लागि ±०.५°; अक्षमा: <०००१> ४H-Si को लागि ±०.५° | ||
माइक्रोपाइप घनत्व (४H-Si) | ≤१ सेमी⁻² | ≤५ सेमी⁻² | ≤१५ सेमी⁻² |
प्रतिरोधकता (४H-Si) | ≥१E९ Ω·सेमी | ≥१E५ Ω·सेमी | |
प्राथमिक समतल अभिमुखीकरण | (१०-१०) ±५.०° | ||
प्राथमिक समतल लम्बाइ | ३२.५ मिमी ±२.० मिमी | ||
माध्यमिक समतल लम्बाइ | १८.० मिमी ±२.० मिमी | ||
माध्यमिक समतल अभिमुखीकरण | सिलिकन फेस अप: प्राइम फ्ल्याट ±५.०° बाट ९०° CW | ||
किनारा बहिष्करण | ३ मिमी | ||
एलटिभी/टीटिभी/बो वार्प | ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
खस्रोपन (C अनुहार) | पोलिश | रा ≤१ एनएम | |
खस्रोपन (Si अनुहार) | सीएमपी | रा ≤०.२ एनएम | रा ≤०.५ एनएम |
उच्च तीव्रताको प्रकाशले किनारा फुट्छ | कुनै पनि होइन | संचयी लम्बाइ ≤१० मिमी; एकल लम्बाइ ≤२ मिमी | |
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा हेक्स प्लेटहरू | संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤०.१% |
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा पोलिटाइप क्षेत्रहरू | कुनै पनि होइन | संचयी क्षेत्रफल ≤३% | |
दृश्य कार्बन समावेशीकरणहरू | संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% | संचयी क्षेत्रफल ≤३% | |
उच्च तीव्रताको प्रकाशले सिलिकन सतहमा खरोंच | कुनै पनि होइन | संचयी लम्बाइ ≤1 वेफर व्यास | |
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा किनारा चिप्स | कुनै पनि अनुमति छैन ≥०.२ मिमी चौडाइ र गहिराइ | ५ अनुमति दिइएको, ≤१ मिमी प्रत्येक | |
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा सिलिकन सतह प्रदूषण | कुनै पनि होइन | कुनै पनि होइन | |
थ्रेडिङ स्क्रू विस्थापन | ≤५०० सेमी⁻² | लागू हुँदैन | |
प्याकेजिङ | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर |
पोस्ट समय: जुन-३०-२०२५