वर्तमानमा, हाम्रो कम्पनीले 8inchN प्रकार SiC वेफर्सको सानो ब्याच आपूर्ति गर्न जारी राख्न सक्छ, यदि तपाइँसँग नमूना आवश्यकता छ भने, कृपया मलाई सम्पर्क गर्न नहिचकिचाउनुहोस्। हामीसँग केही नमूना वेफरहरू पठाउनका लागि तयार छन्।
अर्धचालक सामग्रीको क्षेत्रमा, कम्पनीले ठूलो आकारको SiC क्रिस्टलको अनुसन्धान र विकासमा ठूलो सफलता हासिल गरेको छ। धेरै राउन्ड व्यास विस्तार पछि आफ्नै बीउ क्रिस्टलहरू प्रयोग गरेर, कम्पनीले 8-इन्च एन-टाइप SiC क्रिस्टलहरू सफलतापूर्वक बढाएको छ, जसले असमान तापक्रम क्षेत्र, क्रिस्टल क्र्याकिङ र ग्यास चरणको कच्चा माल वितरण जस्ता कठिन समस्याहरू समाधान गर्दछ। 8 इन्च SIC क्रिस्टलहरू, र ठूलो आकारको SIC क्रिस्टल र स्वायत्त र नियन्त्रण योग्य प्रशोधन प्रविधिको वृद्धिलाई गति दिन्छ। SiC एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट उद्योगमा कम्पनीको मुख्य प्रतिस्पर्धात्मकतालाई ठूलो मात्रामा बढाउनुहोस्। एकै समयमा, कम्पनीले सक्रिय रूपमा प्रविधिको संचय र ठूलो साइज सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट तयारी प्रयोगात्मक लाइनको प्रक्रियालाई बढावा दिन्छ, अपस्ट्रीम र डाउनस्ट्रीम क्षेत्रहरूमा प्राविधिक आदानप्रदान र औद्योगिक सहयोगलाई बलियो बनाउँछ, र ग्राहकहरूसँग लगातार उत्पादन प्रदर्शन पुनरावृत्ति गर्न सहयोग गर्दछ, र संयुक्त रूपमा। सिलिकन कार्बाइड सामाग्री को औद्योगिक आवेदन को गति को बढावा दिन्छ।
8 इन्च एन-प्रकार SiC DSP चश्मा | |||||
नम्बर | वस्तु | एकाइ | उत्पादन | अनुसन्धान | डमी |
1. प्यारामिटरहरू | |||||
१.१ | पोलिटाइप | -- | 4H | 4H | 4H |
१.२ | सतह अभिमुखीकरण | ° | <११-२०>४±०.५ | <११-२०>४±०.५ | <११-२०>४±०.५ |
2. विद्युतीय प्यारामिटर | |||||
२.१ | डोपेन्ट | -- | n-प्रकार नाइट्रोजन | n-प्रकार नाइट्रोजन | n-प्रकार नाइट्रोजन |
२.२ | प्रतिरोधात्मकता | ओम · सेमी | ०.०१५~०.०२५ | ०.०१~०.०३ | NA |
3. मेकानिकल प्यारामिटर | |||||
३.१ | व्यास | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
३.२ | मोटाई | μm | ५००±२५ | ५००±२५ | ५००±२५ |
३.३ | निशान अभिमुखीकरण | ° | [१- १००]±५ | [१- १००]±५ | [१- १००]±५ |
३.४ | खाच गहिराई | mm | १~१.५ | १~१.५ | १~१.५ |
३.५ | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
३.६ | TTV | μm | ≤१० | ≤१० | ≤१५ |
३.७ | धनुष | μm | -२५~२५ | -४५~४५ | -६५~६५ |
३.८ | ताना | μm | ≤३० | ≤50 | ≤70 |
३.९ | AFM | nm | Ra≤ ०.२ | Ra≤ ०.२ | Ra≤ ०.२ |
4. संरचना | |||||
४.१ | माइक्रोपाइप घनत्व | ea/cm2 | ≤२ | ≤१० | ≤50 |
४.२ | धातु सामग्री | परमाणु/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
४.३ | TSD | ea/cm2 | ≤५०० | ≤1000 | NA |
४.४ | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
४.५ | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
5. सकारात्मक गुणस्तर | |||||
५.१ | अगाडि | -- | Si | Si | Si |
५.२ | सतह समाप्त | -- | सि-फेस CMP | सि-फेस CMP | सि-फेस CMP |
५.३ | कण | ea/wafer | ≤100(आकार≥0.3μm) | NA | NA |
५.४ | खरोंच | ea/wafer | ≤5, कुल लम्बाइ≤200mm | NA | NA |
५.५ | किनारा चिप्स/इन्डेन्ट्स/क्र्याक/दाग/दूषित | -- | कुनै पनि छैन | कुनै पनि छैन | NA |
५.६ | पोलिटाइप क्षेत्रहरू | -- | कुनै पनि छैन | क्षेत्रफल ≤ १०% | क्षेत्रफल ≤ ३०% |
५.७ | अगाडि मार्किङ | -- | कुनै पनि छैन | कुनै पनि छैन | कुनै पनि छैन |
6. पछाडि गुणस्तर | |||||
६.१ | फिर्ता समाप्त | -- | सी-अनुहार सांसद | सी-अनुहार सांसद | सी-अनुहार सांसद |
६.२ | खरोंच | mm | NA | NA | NA |
६.३ | पछाडि दोष किनारा चिप्स/इन्डेन्टहरू | -- | कुनै पनि छैन | कुनै पनि छैन | NA |
६.४ | पछाडिको नरमपन | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
६.५ | ब्याक मार्किङ | -- | खाच | खाच | खाच |
7. किनारा | |||||
७.१ | किनारा | -- | च्याम्फर | च्याम्फर | च्याम्फर |
8. प्याकेज | |||||
८.१ | प्याकेजिङ | -- | वैक्यूम संग Epi-तयार प्याकेजिङ | वैक्यूम संग Epi-तयार प्याकेजिङ | वैक्यूम संग Epi-तयार प्याकेजिङ |
८.२ | प्याकेजिङ | -- | बहु-वेफर क्यासेट प्याकेजिङ | बहु-वेफर क्यासेट प्याकेजिङ | बहु-वेफर क्यासेट प्याकेजिङ |
पोस्ट समय: अप्रिल-18-2023