८ इन्च SiC सूचनाको दीर्घकालीन स्थिर आपूर्ति

हाल, हाम्रो कम्पनीले ८ इन्चएन प्रकारका SiC वेफरहरूको सानो ब्याच आपूर्ति गर्न जारी राख्न सक्छ, यदि तपाईंलाई नमूना आवश्यकताहरू छन् भने, कृपया मलाई सम्पर्क गर्न नहिचकिचाउनुहोस्। हामीसँग केही नमूना वेफरहरू पठाउन तयार छन्।

८ इन्च SiC सूचनाको दीर्घकालीन स्थिर आपूर्ति
८ इन्च SiC सूचनाको दीर्घकालीन स्थिर आपूर्ति १

अर्धचालक सामग्रीको क्षेत्रमा, कम्पनीले ठूलो आकारको SiC क्रिस्टलहरूको अनुसन्धान र विकासमा ठूलो सफलता हासिल गरेको छ। व्यास विस्तारका धेरै राउन्डहरू पछि आफ्नै बीउ क्रिस्टलहरू प्रयोग गरेर, कम्पनीले ८-इन्च N-प्रकारको SiC क्रिस्टलहरू सफलतापूर्वक विकास गरेको छ, जसले ८-इन्च SIC क्रिस्टलहरूको वृद्धि प्रक्रियामा असमान तापक्रम क्षेत्र, क्रिस्टल क्र्याकिंग र ग्यास चरण कच्चा माल वितरण जस्ता कठिन समस्याहरू समाधान गर्दछ, र ठूलो आकारको SIC क्रिस्टलहरू र स्वायत्त र नियन्त्रणयोग्य प्रशोधन प्रविधिको वृद्धिलाई तीव्र बनाउँछ। SiC एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट उद्योगमा कम्पनीको मुख्य प्रतिस्पर्धात्मकतालाई ठूलो रूपमा बढाउँछ। एकै समयमा, कम्पनीले ठूलो आकारको सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट तयारी प्रयोगात्मक लाइनको प्रविधि र प्रक्रियाको संचयलाई सक्रिय रूपमा बढावा दिन्छ, अपस्ट्रीम र डाउनस्ट्रीम क्षेत्रहरूमा प्राविधिक आदानप्रदान र औद्योगिक सहयोगलाई बलियो बनाउँछ, र उत्पादन प्रदर्शनलाई निरन्तर दोहोर्याउन ग्राहकहरूसँग सहकार्य गर्दछ, र संयुक्त रूपमा सिलिकन कार्बाइड सामग्रीहरूको औद्योगिक प्रयोगको गतिलाई बढावा दिन्छ।

८ इन्च एन-टाइप SiC DSP स्पेक्स

नम्बर वस्तु एकाइ उत्पादन अनुसन्धान डमी
१. प्यारामिटरहरू
१.१ पोलिटाइप -- 4H 4H 4H
१.२ सतह अभिमुखीकरण ° <११-२०>४±०.५ <११-२०>४±०.५ <११-२०>४±०.५
२. विद्युतीय प्यारामिटर
२.१ डोपान्ट -- n-प्रकारको नाइट्रोजन n-प्रकारको नाइट्रोजन n-प्रकारको नाइट्रोजन
२.२ प्रतिरोधकता ओम · सेमी ०.०१५~०.०२५ ०.०१~०.०३ NA
३. मेकानिकल प्यारामिटर
३.१ व्यास mm २००±०.२ २००±०.२ २००±०.२
३.२ मोटाई माइक्रोमिटर ५००±२५ ५००±२५ ५००±२५
३.३ खाच अभिमुखीकरण ° [१- १००]±५ [१- १००]±५ [१- १००]±५
३.४ खाचको गहिराइ mm १ ~ १.५ १ ~ १.५ १ ~ १.५
३.५ एलटीभी माइक्रोमिटर ≤५(१० मिमी*१० मिमी) ≤५(१० मिमी*१० मिमी) ≤१०(१० मिमी*१० मिमी)
३.६ टीटीभी माइक्रोमिटर ≤१० ≤१० १५%
३.७ धनुष माइक्रोमिटर -२५ ~२५ -४५ ~ ४५ -६५ ~ ६५
३.८ ताना माइक्रोमिटर ≤३० ५० भन्दा कम ७० प्रतिशत
३.९ एएफएम nm रैथाने≤०.२ रैथाने≤०.२ रैथाने≤०.२
४. संरचना
४.१ माइक्रोपाइप घनत्व इए/सेमी२ ≤२ ≤१० ५० भन्दा कम
४.२ धातुको मात्रा परमाणु/सेमी२ ≤१E११ ≤१E११ NA
४.३ टीएसडी इए/सेमी२ ५०० भन्दा कम ≤१००० NA
४.४ बीपीडी इए/सेमी२ ≤२००० ≤५००० NA
४.५ टेड इए/सेमी२ ≤७००० ≤१०००० NA
५. सकारात्मक गुण
५.१ अगाडि -- Si Si Si
५.२ सतह समाप्त -- सि-फेस सीएमपी सि-फेस सीएमपी सि-फेस सीएमपी
५.३ कण ईए/वेफर ≤१००(आकार≥०.३μm) NA NA
५.४ खरोंच ईए/वेफर ≤५, कुल लम्बाइ≤२०० मिमी NA NA
५.५ किनारा
चिप्स/इन्डेन्ट/चर्किएको/दाग/दूषित हुनु
-- कुनै पनि होइन कुनै पनि होइन NA
५.६ बहुप्रकारका क्षेत्रहरू -- कुनै पनि होइन क्षेत्रफल ≤१०% क्षेत्रफल ≤३०%
५.७ अगाडिको भागमा चिन्ह लगाउने काम -- कुनै पनि होइन कुनै पनि होइन कुनै पनि होइन
६. पछाडिको गुणस्तर
६.१ पछाडिको फिनिश -- सी-फेस एमपी सी-फेस एमपी सी-फेस एमपी
६.२ खरोंच mm NA NA NA
६.३ पछाडिको दोष किनारा
चिप्स/इन्डेन्टहरू
-- कुनै पनि होइन कुनै पनि होइन NA
६.४ पछाडिको खस्रोपन nm रा≤५ रा≤५ रा≤५
६.५ पछाडि चिन्ह लगाउने -- खाच खाच खाच
७. किनारा
७.१ किनारा -- च्याम्फर च्याम्फर च्याम्फर
८. प्याकेज
८.१ प्याकेजिङ -- भ्याकुम सहितको एपि-रेडी
प्याकेजिङ
भ्याकुम सहितको एपि-रेडी
प्याकेजिङ
भ्याकुम सहितको एपि-रेडी
प्याकेजिङ
८.२ प्याकेजिङ -- बहु-वेफर
क्यासेट प्याकेजिङ
बहु-वेफर
क्यासेट प्याकेजिङ
बहु-वेफर
क्यासेट प्याकेजिङ

पोस्ट समय: अप्रिल-१८-२०२३