हाल, हाम्रो कम्पनीले ८ इन्चएन प्रकारका SiC वेफरहरूको सानो ब्याच आपूर्ति गर्न जारी राख्न सक्छ, यदि तपाईंलाई नमूना आवश्यकताहरू छन् भने, कृपया मलाई सम्पर्क गर्न नहिचकिचाउनुहोस्। हामीसँग केही नमूना वेफरहरू पठाउन तयार छन्।
अर्धचालक सामग्रीको क्षेत्रमा, कम्पनीले ठूलो आकारको SiC क्रिस्टलहरूको अनुसन्धान र विकासमा ठूलो सफलता हासिल गरेको छ। व्यास विस्तारका धेरै राउन्डहरू पछि आफ्नै बीउ क्रिस्टलहरू प्रयोग गरेर, कम्पनीले ८-इन्च N-प्रकारको SiC क्रिस्टलहरू सफलतापूर्वक विकास गरेको छ, जसले ८-इन्च SIC क्रिस्टलहरूको वृद्धि प्रक्रियामा असमान तापक्रम क्षेत्र, क्रिस्टल क्र्याकिंग र ग्यास चरण कच्चा माल वितरण जस्ता कठिन समस्याहरू समाधान गर्दछ, र ठूलो आकारको SIC क्रिस्टलहरू र स्वायत्त र नियन्त्रणयोग्य प्रशोधन प्रविधिको वृद्धिलाई तीव्र बनाउँछ। SiC एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट उद्योगमा कम्पनीको मुख्य प्रतिस्पर्धात्मकतालाई ठूलो रूपमा बढाउँछ। एकै समयमा, कम्पनीले ठूलो आकारको सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट तयारी प्रयोगात्मक लाइनको प्रविधि र प्रक्रियाको संचयलाई सक्रिय रूपमा बढावा दिन्छ, अपस्ट्रीम र डाउनस्ट्रीम क्षेत्रहरूमा प्राविधिक आदानप्रदान र औद्योगिक सहयोगलाई बलियो बनाउँछ, र उत्पादन प्रदर्शनलाई निरन्तर दोहोर्याउन ग्राहकहरूसँग सहकार्य गर्दछ, र संयुक्त रूपमा सिलिकन कार्बाइड सामग्रीहरूको औद्योगिक प्रयोगको गतिलाई बढावा दिन्छ।
| ८ इन्च एन-टाइप SiC DSP स्पेक्स | |||||
| नम्बर | वस्तु | एकाइ | उत्पादन | अनुसन्धान | डमी |
| १. प्यारामिटरहरू | |||||
| १.१ | पोलिटाइप | -- | 4H | 4H | 4H |
| १.२ | सतह अभिमुखीकरण | ° | <११-२०>४±०.५ | <११-२०>४±०.५ | <११-२०>४±०.५ |
| २. विद्युतीय प्यारामिटर | |||||
| २.१ | डोपान्ट | -- | n-प्रकारको नाइट्रोजन | n-प्रकारको नाइट्रोजन | n-प्रकारको नाइट्रोजन |
| २.२ | प्रतिरोधकता | ओम · सेमी | ०.०१५~०.०२५ | ०.०१~०.०३ | NA |
| ३. मेकानिकल प्यारामिटर | |||||
| ३.१ | व्यास | mm | २००±०.२ | २००±०.२ | २००±०.२ |
| ३.२ | मोटाई | माइक्रोमिटर | ५००±२५ | ५००±२५ | ५००±२५ |
| ३.३ | खाच अभिमुखीकरण | ° | [१- १००]±५ | [१- १००]±५ | [१- १००]±५ |
| ३.४ | खाचको गहिराइ | mm | १ ~ १.५ | १ ~ १.५ | १ ~ १.५ |
| ३.५ | एलटीभी | माइक्रोमिटर | ≤५(१० मिमी*१० मिमी) | ≤५(१० मिमी*१० मिमी) | ≤१०(१० मिमी*१० मिमी) |
| ३.६ | टीटीभी | माइक्रोमिटर | ≤१० | ≤१० | १५% |
| ३.७ | धनुष | माइक्रोमिटर | -२५ ~२५ | -४५ ~ ४५ | -६५ ~ ६५ |
| ३.८ | ताना | माइक्रोमिटर | ≤३० | ५० भन्दा कम | ७० प्रतिशत |
| ३.९ | एएफएम | nm | रैथाने≤०.२ | रैथाने≤०.२ | रैथाने≤०.२ |
| ४. संरचना | |||||
| ४.१ | माइक्रोपाइप घनत्व | इए/सेमी२ | ≤२ | ≤१० | ५० भन्दा कम |
| ४.२ | धातुको मात्रा | परमाणु/सेमी२ | ≤१E११ | ≤१E११ | NA |
| ४.३ | टीएसडी | इए/सेमी२ | ५०० भन्दा कम | ≤१००० | NA |
| ४.४ | बीपीडी | इए/सेमी२ | ≤२००० | ≤५००० | NA |
| ४.५ | टेड | इए/सेमी२ | ≤७००० | ≤१०००० | NA |
| ५. सकारात्मक गुण | |||||
| ५.१ | अगाडि | -- | Si | Si | Si |
| ५.२ | सतह समाप्त | -- | सि-फेस सीएमपी | सि-फेस सीएमपी | सि-फेस सीएमपी |
| ५.३ | कण | ईए/वेफर | ≤१००(आकार≥०.३μm) | NA | NA |
| ५.४ | खरोंच | ईए/वेफर | ≤५, कुल लम्बाइ≤२०० मिमी | NA | NA |
| ५.५ | किनारा चिप्स/इन्डेन्ट/चर्किएको ठाउँ/दाग/दूषित पदार्थ | -- | कुनै पनि होइन | कुनै पनि होइन | NA |
| ५.६ | बहुप्रकारका क्षेत्रहरू | -- | कुनै पनि होइन | क्षेत्रफल ≤१०% | क्षेत्रफल ≤३०% |
| ५.७ | अगाडिको भागमा चिन्ह लगाउने काम | -- | कुनै पनि होइन | कुनै पनि होइन | कुनै पनि होइन |
| ६. पछाडिको गुणस्तर | |||||
| ६.१ | पछाडिको फिनिश | -- | सी-फेस एमपी | सी-फेस एमपी | सी-फेस एमपी |
| ६.२ | खरोंच | mm | NA | NA | NA |
| ६.३ | पछाडिको दोष किनारा चिप्स/इन्डेन्टहरू | -- | कुनै पनि होइन | कुनै पनि होइन | NA |
| ६.४ | पछाडिको खस्रोपन | nm | रा≤५ | रा≤५ | रा≤५ |
| ६.५ | पछाडि चिन्ह लगाउने | -- | खाच | खाच | खाच |
| ७. किनारा | |||||
| ७.१ | किनारा | -- | च्याम्फर | च्याम्फर | च्याम्फर |
| ८. प्याकेज | |||||
| ८.१ | प्याकेजिङ | -- | भ्याकुम सहितको एपि-रेडी प्याकेजिङ | भ्याकुम सहितको एपि-रेडी प्याकेजिङ | भ्याकुम सहितको एपि-रेडी प्याकेजिङ |
| ८.२ | प्याकेजिङ | -- | बहु-वेफर क्यासेट प्याकेजिङ | बहु-वेफर क्यासेट प्याकेजिङ | बहु-वेफर क्यासेट प्याकेजिङ |
पोस्ट समय: अप्रिल-१८-२०२३