8 इन्च SiC सूचनाको दीर्घकालीन स्थिर आपूर्ति

वर्तमानमा, हाम्रो कम्पनीले 8inchN प्रकार SiC वेफर्सको सानो ब्याच आपूर्ति गर्न जारी राख्न सक्छ, यदि तपाइँसँग नमूना आवश्यकता छ भने, कृपया मलाई सम्पर्क गर्न नहिचकिचाउनुहोस्।हामीसँग केही नमूना वेफरहरू पठाउनका लागि तयार छन्।

8 इन्च SiC सूचनाको दीर्घकालीन स्थिर आपूर्ति
8 इन्च SiC सूचनाको दीर्घकालीन स्थिर आपूर्ति

अर्धचालक सामग्रीको क्षेत्रमा, कम्पनीले ठूलो आकारको SiC क्रिस्टलको अनुसन्धान र विकासमा ठूलो सफलता हासिल गरेको छ।धेरै राउन्ड व्यास विस्तार पछि आफ्नै बीउ क्रिस्टलहरू प्रयोग गरेर, कम्पनीले 8-इन्च एन-टाइप SiC क्रिस्टलहरू सफलतापूर्वक बढाएको छ, जसले असमान तापक्रम क्षेत्र, क्रिस्टल क्र्याकिङ र ग्यास चरणको कच्चा माल वितरण जस्ता कठिन समस्याहरू समाधान गर्दछ। 8 इन्च SIC क्रिस्टलहरू, र ठूलो आकारको SIC क्रिस्टल र स्वायत्त र नियन्त्रण योग्य प्रशोधन प्रविधिको वृद्धिलाई गति दिन्छ।SiC एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट उद्योगमा कम्पनीको मुख्य प्रतिस्पर्धात्मकतालाई ठूलो मात्रामा बढाउनुहोस्।एकै समयमा, कम्पनीले सक्रिय रूपमा प्रविधिको संचय र ठूलो साइज सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट तयारी प्रयोगात्मक लाइनको प्रक्रियालाई बढावा दिन्छ, अपस्ट्रीम र डाउनस्ट्रीम क्षेत्रहरूमा प्राविधिक आदानप्रदान र औद्योगिक सहयोगलाई बलियो बनाउँछ, र ग्राहकहरूसँग लगातार उत्पादन प्रदर्शन पुनरावृत्ति गर्न सहयोग गर्दछ, र संयुक्त रूपमा। सिलिकन कार्बाइड सामाग्री को औद्योगिक आवेदन को गति को बढावा दिन्छ।

8 इन्च एन-प्रकार SiC DSP चश्मा

नम्बर वस्तु एकाइ उत्पादन अनुसन्धान डमी
1. प्यारामिटरहरू
१.१ पोलिटाइप -- 4H 4H 4H
१.२ सतह अभिमुखीकरण ° <११-२०>४±०.५ <११-२०>४±०.५ <११-२०>४±०.५
2. विद्युतीय प्यारामिटर
२.१ डोपेन्ट -- n-प्रकार नाइट्रोजन n-प्रकार नाइट्रोजन n-प्रकार नाइट्रोजन
२.२ प्रतिरोधात्मकता ओम · सेमी ०.०१५~०.०२५ ०.०१~०.०३ NA
3. मेकानिकल प्यारामिटर
३.१ व्यास mm 200±0.2 200±0.2 200±0.2
३.२ मोटाई μm ५००±२५ ५००±२५ ५००±२५
३.३ निशान अभिमुखीकरण ° [१- १००]±५ [१- १००]±५ [१- १००]±५
३.४ खाच गहिराई mm १~१.५ १~१.५ १~१.५
३.५ LTV μm ≤5(10mm*10mm) ≤5(10mm*10mm) ≤10(10mm*10mm)
३.६ TTV μm ≤१० ≤१० ≤१५
३.७ ढोग μm -२५~२५ -४५~४५ -६५~६५
३.८ ताना μm ≤३० ≤50 ≤70
३.९ AFM nm Ra≤ ०.२ Ra≤ ०.२ Ra≤ ०.२
4. संरचना
४.१ माइक्रोपाइप घनत्व ea/cm2 ≤२ ≤१० ≤50
४.२ धातु सामग्री परमाणु/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
४.३ TSD ea/cm2 ≤५०० ≤1000 NA
४.४ BPD ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
४.५ TED ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. सकारात्मक गुणस्तर
५.१ अगाडि -- Si Si Si
५.२ सतह समाप्त -- सि-फेस CMP सि-फेस CMP सि-फेस CMP
५.३ कण ea/wafer ≤100(आकार≥0.3μm) NA NA
५.४ खरोंच ea/wafer ≤5, कुल लम्बाइ≤200mm NA NA
५.५ किनारा
चिप्स/इन्डेन्ट्स/क्र्याक/दाग/दूषित
-- कुनै पनि छैन कुनै पनि छैन NA
५.६ पोलिटाइप क्षेत्रहरू -- कुनै पनि छैन क्षेत्रफल ≤ १०% क्षेत्रफल ≤ ३०%
५.७ अगाडि मार्किङ -- कुनै पनि छैन कुनै पनि छैन कुनै पनि छैन
6. पछाडि गुणस्तर
६.१ फिर्ता समाप्त -- सी-अनुहार सांसद सी-अनुहार सांसद सी-अनुहार सांसद
६.२ खरोंच mm NA NA NA
६.३ पछाडि दोष किनारा
चिप्स/इन्डेन्टहरू
-- कुनै पनि छैन कुनै पनि छैन NA
६.४ पछाडिको नरमपन nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
६.५ ब्याक मार्किङ -- खाच खाच खाच
7. किनारा
७.१ किनारा -- च्याम्फर च्याम्फर च्याम्फर
8. प्याकेज
८.१ प्याकेजिङ -- वैक्यूम संग Epi-तयार
प्याकेजिङ
वैक्यूम संग Epi-तयार
प्याकेजिङ
वैक्यूम संग Epi-तयार
प्याकेजिङ
८.२ प्याकेजिङ -- बहु-वेफर
क्यासेट प्याकेजिङ
बहु-वेफर
क्यासेट प्याकेजिङ
बहु-वेफर
क्यासेट प्याकेजिङ

पोस्ट समय: अप्रिल-18-2023