१२ इन्च SIC सब्सट्रेट सिलिकन कार्बाइड प्राइम ग्रेड व्यास ३०० मिमी ठूलो आकार ४H-N उच्च शक्ति उपकरण ताप अपव्ययको लागि उपयुक्त
उत्पादन विशेषताहरू
१. उच्च तापीय चालकता: सिलिकन कार्बाइडको तापीय चालकता सिलिकनको भन्दा ३ गुणा बढी छ, जुन उच्च शक्ति उपकरणको ताप अपव्ययको लागि उपयुक्त छ।
२. उच्च ब्रेकडाउन फिल्ड शक्ति: ब्रेकडाउन फिल्ड शक्ति सिलिकनको भन्दा १० गुणा बढी हुन्छ, जुन उच्च-दबाव अनुप्रयोगहरूको लागि उपयुक्त हुन्छ।
३. चौडा ब्यान्डग्याप: ब्यान्डग्याप ३.२६eV (४H-SiC) छ, जुन उच्च तापक्रम र उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगहरूको लागि उपयुक्त छ।
४. उच्च कठोरता: मोहस कठोरता ९.२ छ, हीरा पछि दोस्रो, उत्कृष्ट पहिरन प्रतिरोध र यान्त्रिक शक्ति।
५. रासायनिक स्थिरता: बलियो जंग प्रतिरोध, उच्च तापक्रम र कठोर वातावरणमा स्थिर प्रदर्शन।
६. ठूलो आकार: १२ इन्च (३०० मिमी) सब्सट्रेट, उत्पादन दक्षता सुधार, एकाइ लागत घटाउने।
७. कम दोष घनत्व: कम दोष घनत्व र उच्च स्थिरता सुनिश्चित गर्न उच्च गुणस्तरको एकल क्रिस्टल वृद्धि प्रविधि।
उत्पादनको मुख्य प्रयोग दिशा
१. पावर इलेक्ट्रोनिक्स:
मोस्फेटहरू: विद्युतीय सवारी साधन, औद्योगिक मोटर ड्राइभ र पावर कन्भर्टरहरूमा प्रयोग गरिन्छ।
डायोडहरू: जस्तै स्कोट्की डायोडहरू (SBD), कुशल सुधार र पावर आपूर्ति स्विच गर्न प्रयोग गरिन्छ।
२. आरएफ उपकरणहरू:
आरएफ पावर एम्पलीफायर: ५जी कम्युनिकेसन बेस स्टेशन र स्याटेलाइट कम्युनिकेसनमा प्रयोग गरिन्छ।
माइक्रोवेभ उपकरणहरू: राडार र वायरलेस सञ्चार प्रणालीहरूको लागि उपयुक्त।
३. नयाँ ऊर्जा सवारी साधनहरू:
विद्युतीय ड्राइभ प्रणाली: विद्युतीय सवारी साधनका लागि मोटर नियन्त्रक र इन्भर्टरहरू।
चार्जिङ पाइल: छिटो चार्ज गर्ने उपकरणहरूको लागि पावर मोड्युल।
४. औद्योगिक प्रयोगहरू:
उच्च भोल्टेज इन्भर्टर: औद्योगिक मोटर नियन्त्रण र ऊर्जा व्यवस्थापनको लागि।
स्मार्ट ग्रिड: HVDC प्रसारण र पावर इलेक्ट्रोनिक्स ट्रान्सफर्मरहरूको लागि।
५. एयरोस्पेस:
उच्च तापक्रम इलेक्ट्रोनिक्स: एयरोस्पेस उपकरणहरूको उच्च तापक्रम वातावरणको लागि उपयुक्त।
६. अनुसन्धान क्षेत्र:
वाइड ब्यान्डग्याप अर्धचालक अनुसन्धान: नयाँ अर्धचालक सामग्री र उपकरणहरूको विकासको लागि।
१२ इन्चको सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट एक प्रकारको उच्च-प्रदर्शन अर्धचालक सामग्री सब्सट्रेट हो जसमा उच्च थर्मल चालकता, उच्च ब्रेकडाउन फिल्ड शक्ति र फराकिलो ब्यान्ड ग्याप जस्ता उत्कृष्ट गुणहरू छन्। यो पावर इलेक्ट्रोनिक्स, रेडियो फ्रिक्वेन्सी उपकरणहरू, नयाँ ऊर्जा सवारी साधनहरू, औद्योगिक नियन्त्रण र एयरोस्पेसमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ, र कुशल र उच्च-शक्ति इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको अर्को पुस्ताको विकासलाई प्रवर्द्धन गर्न एक प्रमुख सामग्री हो।
सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेटहरूमा हाल AR चश्मा जस्ता उपभोक्ता इलेक्ट्रोनिक्समा कम प्रत्यक्ष अनुप्रयोगहरू छन्, तर कुशल पावर व्यवस्थापन र लघु इलेक्ट्रोनिक्समा तिनीहरूको सम्भावनाले भविष्यका AR/VR उपकरणहरूको लागि हल्का, उच्च-प्रदर्शन पावर आपूर्ति समाधानहरूलाई समर्थन गर्न सक्छ। हाल, सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेटको मुख्य विकास नयाँ ऊर्जा सवारी साधनहरू, सञ्चार पूर्वाधार र औद्योगिक स्वचालन जस्ता औद्योगिक क्षेत्रहरूमा केन्द्रित छ, र अर्धचालक उद्योगलाई अझ कुशल र भरपर्दो दिशामा विकास गर्न प्रवर्द्धन गर्दछ।
XKH उच्च गुणस्तरका १२ "SIC सब्सट्रेटहरू प्रदान गर्न प्रतिबद्ध छ जसमा व्यापक प्राविधिक सहयोग र सेवाहरू समावेश छन्, जसमा समावेश छन्:
१. अनुकूलित उत्पादन: ग्राहकको आवश्यकता अनुसार फरक प्रतिरोधकता, क्रिस्टल अभिमुखीकरण र सतह उपचार सब्सट्रेट प्रदान गर्न आवश्यक छ।
२. प्रक्रिया अनुकूलन: उत्पादन प्रदर्शन सुधार गर्न ग्राहकहरूलाई एपिटेक्सियल वृद्धि, उपकरण निर्माण र अन्य प्रक्रियाहरूको प्राविधिक सहयोग प्रदान गर्नुहोस्।
३. परीक्षण र प्रमाणीकरण: सब्सट्रेटले उद्योग मापदण्डहरू पूरा गर्छ भनी सुनिश्चित गर्न कडा दोष पत्ता लगाउने र गुणस्तर प्रमाणीकरण प्रदान गर्नुहोस्।
४. अनुसन्धान र विकास सहयोग: प्राविधिक नवप्रवर्तनलाई प्रवर्द्धन गर्न ग्राहकहरूसँग संयुक्त रूपमा नयाँ सिलिकन कार्बाइड उपकरणहरू विकास गर्नुहोस्।
डेटा चार्ट
१ २ इन्च सिलिकन कार्बाइड (SiC) सब्सट्रेट विशिष्टता | |||||
ग्रेड | ZeroMPD उत्पादन ग्रेड(Z ग्रेड) | मानक उत्पादन ग्रेड(P ग्रेड) | डमी ग्रेड (घ ग्रेड) | ||
व्यास | ३ ० ० मिमी ~ ३०५ मिमी | ||||
मोटाई | ४ घण्टा-उत्तर | ७५०μm±१५ μm | ७५०μm±२५ μm | ||
४H-SI को परिचय | ७५०μm±१५ μm | ७५०μm±२५ μm | |||
वेफर अभिमुखीकरण | अक्ष बाहिर: ४.०° तिर <११२० >±०.५° ४H-N को लागि, अक्षमा: <०००१>±०.५° ४H-SI को लागि | ||||
माइक्रोपाइप घनत्व | ४ घण्टा-उत्तर | ≤०.४ सेमी-२ | ≤४ सेमी-२ | ≤२५ सेमी-२ | |
४H-SI को परिचय | ≤५ सेमी-२ | ≤१० सेमी-२ | ≤२५ सेमी-२ | ||
प्रतिरोधात्मकता | ४ घण्टा-उत्तर | ०.०१५~०.०२४ Ω·सेमी | ०.०१५~०.०२८ Ω·सेमी | ||
४H-SI को परिचय | ≥१E१० Ω·सेमी | ≥१E५ Ω·सेमी | |||
प्राथमिक समतल अभिमुखीकरण | {१०-१०} ±५.०° | ||||
प्राथमिक समतल लम्बाइ | ४ घण्टा-उत्तर | लागू हुँदैन | |||
४H-SI को परिचय | खाच | ||||
किनारा बहिष्करण | ३ मिमी | ||||
एलटिभी/टीटिभी/धनुष/वार्प | ≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm | ≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm | |||
खस्रोपन | पोलिश Ra≤१ nm | ||||
CMP Ra≤०.२ एनएम | Ra≤०.५ एनएम | ||||
उच्च तीव्रताको प्रकाशले किनारा फुट्छ उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा हेक्स प्लेटहरू उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा पोलिटाइप क्षेत्रहरू दृश्य कार्बन समावेशीकरणहरू उच्च तीव्रताको प्रकाशले सिलिकन सतहमा खरोंच | कुनै पनि होइन संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% कुनै पनि होइन संचयी क्षेत्रफल ≤०.०५% कुनै पनि होइन | संचयी लम्बाइ ≤ २० मिमी, एकल लम्बाइ ≤२ मिमी संचयी क्षेत्रफल ≤०.१% संचयी क्षेत्रफल≤३% संचयी क्षेत्रफल ≤३% संचयी लम्बाइ≤१×वेफर व्यास | |||
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा किनारा चिप्स | कुनै पनि अनुमति छैन ≥०.२ मिमी चौडाइ र गहिराइ | ७ अनुमति दिइएको, ≤१ मिमी प्रत्येक | |||
(TSD) थ्रेडिङ स्क्रू विस्थापन | ≤५०० सेमी-२ | लागू हुँदैन | |||
(BPD) आधार विमान विस्थापन | ≤१००० सेमी-२ | लागू हुँदैन | |||
उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा सिलिकन सतह प्रदूषण | कुनै पनि होइन | ||||
प्याकेजिङ | बहु-वेफर क्यासेट वा एकल वेफर कन्टेनर | ||||
नोटहरू: | |||||
१ किनारा बहिष्करण क्षेत्र बाहेक सम्पूर्ण वेफर सतहमा दोष सीमा लागू हुन्छ। २. Si अनुहारमा मात्र खरोंचहरू जाँच गर्नुपर्छ। ३ विस्थापन डेटा केवल KOH एच्ड वेफरहरूबाट हो। |
XKH ले ठूलो आकार, कम दोष र उच्च स्थिरतामा १२ इन्च सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेटहरूको सफलतालाई प्रवर्द्धन गर्न अनुसन्धान र विकासमा लगानी गर्न जारी राख्नेछ, जबकि XKH ले उपभोक्ता इलेक्ट्रोनिक्स (जस्तै AR/VR उपकरणहरूको लागि पावर मोड्युलहरू) र क्वान्टम कम्प्युटिङ जस्ता उदीयमान क्षेत्रहरूमा यसको अनुप्रयोगहरूको अन्वेषण गर्नेछ। लागत घटाएर र क्षमता बढाएर, XKH ले अर्धचालक उद्योगमा समृद्धि ल्याउनेछ।
विस्तृत रेखाचित्र


