8 इन्च 200mm 4H-N SiC वेफर प्रवाहकीय डमी अनुसन्धान ग्रेड

यसको अद्वितीय भौतिक र इलेक्ट्रोनिक गुणहरूको कारणले गर्दा, 200mm SiC वेफर अर्धचालक सामग्री उच्च-कार्यक्षमता, उच्च-तापमान, विकिरण-प्रतिरोधी, र उच्च-फ्रिक्वेन्सी इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू सिर्जना गर्न प्रयोग गरिन्छ।8 इन्च SiC सब्सट्रेटको मूल्य बिस्तारै घट्दै गएको छ किनकि टेक्नोलोजी अझ उन्नत हुन्छ र माग बढ्छ।भर्खरको टेक्नोलोजी विकासहरूले 200mm SiC वेफर्सको उत्पादन स्केल निर्माण गर्न नेतृत्व गर्दछ।Si र GaAs वेफर्सको तुलनामा SiC वेफर अर्धचालक सामग्रीका मुख्य फाइदाहरू: हिमस्खलन ब्रेकडाउनको समयमा 4H-SiC को विद्युतीय क्षेत्र बल Si र GaAs को लागि सम्बन्धित मानहरू भन्दा म्याग्निच्युडको अर्डर भन्दा बढी छ।यसले अन-स्टेट रेसिस्टिभिटी रोनमा उल्लेखनीय कमी ल्याउँछ।कम अन-स्टेट प्रतिरोधकता, उच्च वर्तमान घनत्व र थर्मल चालकता संग संयुक्त, पावर उपकरणहरु को लागी धेरै सानो डाइ को उपयोग को अनुमति दिन्छ।SiC को उच्च थर्मल चालकताले चिपको थर्मल प्रतिरोधलाई कम गर्छ।SiC वेफर्समा आधारित उपकरणहरूको इलेक्ट्रोनिक गुणहरू समय र तापमान स्थिरमा धेरै स्थिर हुन्छन्, जसले उत्पादनहरूको उच्च विश्वसनीयता सुनिश्चित गर्दछ।सिलिकन कार्बाइड कडा विकिरणको लागि अत्यन्त प्रतिरोधी छ, जसले चिपको इलेक्ट्रोनिक गुणहरू घटाउँदैन।क्रिस्टलको उच्च सीमित अपरेटिङ तापमान (6000C भन्दा बढी) ले तपाईंलाई कठोर अपरेटिङ अवस्था र विशेष अनुप्रयोगहरूको लागि अत्यधिक भरपर्दो उपकरणहरू सिर्जना गर्न अनुमति दिन्छ।हाल, हामी सानो ब्याच 200mmSiC वेफरहरू स्थिर र निरन्तर आपूर्ति गर्न सक्छौं र गोदाममा केही स्टक छ।