४ इन्च नीलमणि वेफर सी-प्लेन एसएसपी/डीएसपी ०.४३ मिमी ०.६५ मिमी
अनुप्रयोगहरू
● III-V र II-VI यौगिकहरूको लागि ग्रोथ सब्सट्रेट।
● इलेक्ट्रोनिक्स र अप्टोइलेक्ट्रोनिक्स।
● IR अनुप्रयोगहरू।
● नीलमणि एकीकृत सर्किट (SOS) मा सिलिकन।
● रेडियो फ्रिक्वेन्सी एकीकृत सर्किट (RFIC)।
LED उत्पादनमा, नीलमणि वेफरहरू ग्यालियम नाइट्राइड (GaN) क्रिस्टलहरूको वृद्धिको लागि सब्सट्रेटको रूपमा प्रयोग गरिन्छ, जसले विद्युतीय प्रवाह लागू गर्दा प्रकाश उत्सर्जन गर्दछ।नीलमणि GaN वृद्धिको लागि एक आदर्श सब्सट्रेट सामग्री हो किनभने यसमा GaN सँग समान क्रिस्टल संरचना र थर्मल विस्तार गुणांक छ, जसले दोषहरूलाई कम गर्छ र क्रिस्टल गुणस्तर सुधार गर्दछ।
अप्टिक्समा, नीलमणि वेफरहरू उच्च-दबाव र उच्च-तापमान वातावरणमा झ्याल र लेन्सको रूपमा प्रयोग गरिन्छ, साथै इन्फ्रारेड इमेजिङ प्रणालीहरूमा, तिनीहरूको उच्च पारदर्शिता र कठोरताको कारण।
विशिष्टता
| वस्तु | 4-इन्च सी-प्लेन (0001) 650μm नीलमणि वेफर्स | |
| क्रिस्टल सामाग्री | 99,999%, उच्च शुद्धता, मोनोक्रिस्टलाइन Al2O3 | |
| ग्रेड | प्राइम, एपि-रेडी | |
| सतह अभिमुखीकरण | C-प्लेन(0001) | |
| C-प्लेन अफ-एंगल M-अक्ष तर्फ 0.2 +/- 0.1° | ||
| व्यास | 100.0 मिमी +/- 0.1 मिमी | |
| मोटाई | 650 μm +/- 25 μm | |
| प्राथमिक समतल अभिमुखीकरण | ए-प्लेन(११-२०) +/- ०.२° | |
| प्राथमिक समतल लम्बाइ | ३०.० मिमी +/- १.० मिमी | |
| एकल साइड पॉलिश | अगाडिको सतह | Epi-पालिश, Ra <0.2 nm (AFM द्वारा) |
| (एसएसपी) | पछाडिको सतह | राम्रो जमीन, Ra = 0.8 μm देखि 1.2 μm |
| डबल साइड पॉलिश | अगाडिको सतह | Epi-पालिश, Ra <0.2 nm (AFM द्वारा) |
| (डीएसपी) | पछाडिको सतह | Epi-पालिश, Ra <0.2 nm (AFM द्वारा) |
| TTV | <20 μm | |
| ढोग | <20 μm | |
| WARP | <20 μm | |
| सफाई / प्याकेजिङ | कक्षा १०० क्लिनरूम सफा गर्ने र भ्याकुम प्याकेजिङ, | |
| एक क्यासेट प्याकेजिङ्ग वा एकल टुक्रा प्याकेजिङ्गमा 25 टुक्रा। | ||
प्याकिङ र ढुवानी
सामान्यतया, हामी 25pcs क्यासेट बक्स द्वारा प्याकेज प्रदान गर्दछौं;हामी ग्राहकको आवश्यकता अनुसार १०० ग्रेड क्लिनिङ कोठा अन्तर्गत एकल वेफर कन्टेनरद्वारा प्याक गर्न सक्छौं।
विस्तृत रेखाचित्र
