२ इन्च सिलिकन कार्बाइड वेफर्स ६H वा ४H N-प्रकार वा अर्ध-इन्सुलेटिङ SiC सब्सट्रेटहरू

४H SiC वेफर N-प्रकार
व्यास: २ इन्च ५०.८ मिमी | ४ इन्च १०० मिमी | ६ इन्च १५० मिमी
अभिमुखीकरण: अक्ष ४.०˚ भन्दा बाहिर <११२०> ± ०.५˚ तिर
प्रतिरोधकता: < ०.१ ओम.सेमी
खस्रोपन: Si-फेस CMP Ra <0.5nm, C-फेस अप्टिकल पोलिश Ra <1 nm

४H SiC वेफर अर्ध-इन्सुलेटिङ
व्यास: २ इन्च ५०.८ मिमी | ४ इन्च १०० मिमी | ६ इन्च १५० मिमी
अभिमुखीकरण: अक्षमा {0001} ± 0.25˚
प्रतिरोधकता: >१E५ ओम.सेमी
खस्रोपन: Si-फेस CMP Ra <0.5nm, C-फेस अप्टिकल पोलिश Ra <1 nm

१. ५जी पूर्वाधार -- सञ्चार विद्युत आपूर्ति।
सञ्चार विद्युत आपूर्ति सर्भर र बेस स्टेशन सञ्चारको लागि ऊर्जा आधार हो। यसले सञ्चार प्रणालीको सामान्य सञ्चालन सुनिश्चित गर्न विभिन्न प्रसारण उपकरणहरूको लागि विद्युत ऊर्जा प्रदान गर्दछ।

२. नयाँ ऊर्जा सवारी साधनहरूको चार्जिङ पाइल -- चार्जिङ पाइलको पावर मोड्युल।
चार्जिङ पाइल पावर मोड्युलको उच्च दक्षता र उच्च शक्ति चार्जिङ पाइल पावर मोड्युलमा सिलिकन कार्बाइड प्रयोग गरेर प्राप्त गर्न सकिन्छ, जसले गर्दा चार्जिङ गति सुधार गर्न र चार्जिङ लागत घटाउन सकिन्छ।

३. ठूलो डाटा सेन्टर, औद्योगिक इन्टरनेट -- सर्भर पावर सप्लाई।
सर्भर पावर सप्लाई भनेको सर्भर इनर्जी लाइब्रेरी हो। सर्भरले सर्भर प्रणालीको सामान्य सञ्चालन सुनिश्चित गर्न पावर प्रदान गर्दछ। सर्भर पावर सप्लाईमा सिलिकन कार्बाइड पावर कम्पोनेन्टहरूको प्रयोगले सर्भर पावर सप्लाईको पावर घनत्व र दक्षता सुधार गर्न सक्छ, समग्रमा डाटा सेन्टरको भोल्युम घटाउन सक्छ, डाटा सेन्टरको समग्र निर्माण लागत घटाउन सक्छ, र उच्च वातावरणीय दक्षता प्राप्त गर्न सक्छ।

४. Uhv - लचिलो प्रसारण DC सर्किट ब्रेकरहरूको प्रयोग।

५. इन्टरसिटी हाई-स्पीड रेल र इन्टरसिटी रेल ट्रान्जिट -- ट्र्याक्सन कन्भर्टरहरू, पावर इलेक्ट्रोनिक ट्रान्सफर्मरहरू, सहायक कन्भर्टरहरू, सहायक पावर आपूर्तिहरू।