२ इन्च ५०.८ मिमी जर्मेनियम वेफर सब्सट्रेट सिंगल क्रिस्टल १SP २SP
विस्तृत जानकारी
जर्मेनियम चिप्समा अर्धचालक गुणहरू छन्। ठोस अवस्था भौतिकी र ठोस अवस्था इलेक्ट्रोनिक्सको विकासमा महत्त्वपूर्ण भूमिका खेलेको छ। जर्मेनियमको पग्लने घनत्व ५.३२ ग्राम/सेमी ३ छ, जर्मेनियमलाई पातलो छरिएको धातुको रूपमा वर्गीकृत गर्न सकिन्छ, जर्मेनियम रासायनिक स्थिरता, कोठाको तापक्रममा हावा वा पानीको वाष्पसँग अन्तरक्रिया गर्दैन, तर ६०० ~ ७०० ℃ मा, जर्मेनियम डाइअक्साइड द्रुत रूपमा उत्पन्न हुन्छ। हाइड्रोक्लोरिक एसिड, पातलो सल्फ्यूरिक एसिडसँग काम गर्दैन। जब गाढा सल्फ्यूरिक एसिड तताइन्छ, जर्मेनियम बिस्तारै घुल्नेछ। नाइट्रिक एसिड र एक्वा रेजियामा, जर्मेनियम सजिलै घुल्छ। जर्मेनियममा क्षार घोलको प्रभाव धेरै कमजोर हुन्छ, तर हावामा पग्लिएको क्षारले जर्मेनियमलाई चाँडै घुलनशील बनाउन सक्छ। जर्मेनियम कार्बनसँग काम गर्दैन, त्यसैले यसलाई ग्रेफाइट क्रूसिबलमा पग्लिन्छ र कार्बनबाट दूषित हुँदैन। जर्मेनियममा इलेक्ट्रोन गतिशीलता, प्वाल गतिशीलता र यस्तै राम्रो अर्धचालक गुणहरू छन्। जर्मेनियमको विकासमा अझै पनि ठूलो सम्भावना छ।
निर्दिष्टीकरण
| वृद्धि विधि | CZ | ||
| क्रिस्टल संस्थान | घन प्रणाली | ||
| जाली स्थिरांक | a=५.६५७५४ Å | ||
| घनत्व | ५.३२३ ग्राम/सेमी३ | ||
| पग्लने बिन्दु | ९३७.४ ℃ | ||
| डोपिङ | अन-डोपिङ | डोपिङ-एसबी | डोपिङ-गा |
| प्रकारहरू | / | N | P |
| प्रतिरोध | ＞३५Ωसेमी | ०.०१~३५ Ωसेमी | ०.०५~३५ Ωसेमी |
| EPDName | ＜४×१०3∕ सेमी२ | ＜४×१०3∕ सेमी२ | ＜४×१०3∕ सेमी२ |
| व्यास | २ इन्च/५०.८ मिमी | ||
| मोटाई | ०.५ मिमी, १.० मिमी | ||
| सतह | डीएसपी र एसएसपी | ||
| अभिमुखीकरण | <100>, <110>, <111>, ± 0.5º | ||
| Ra | ≤५Å（५µm×५µm） | ||
| प्याकेज | १०० ग्रेड प्याकेज, १००० ग्रेड कोठा | ||
विस्तृत रेखाचित्र
