MOS वा SBD को लागि 4 इन्च SiC Epi वेफर
Epitaxy ले सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेटको सतहमा उच्च गुणस्तरको एकल क्रिस्टल सामग्रीको तहको वृद्धिलाई जनाउँछ।तिनीहरूमध्ये, अर्ध-इन्सुलेट सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेटमा ग्यालियम नाइट्राइड एपिटेक्सियल तहको वृद्धिलाई विषम एपिटेक्सी भनिन्छ;प्रवाहकीय सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेटको सतहमा सिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सियल तहको वृद्धिलाई समरूप एपिटेक्सी भनिन्छ।
Epitaxial मुख्य कार्यात्मक तह को वृद्धि को उपकरण डिजाइन आवश्यकताहरु अनुसार छ, ठूलो मात्रामा चिप र उपकरण को प्रदर्शन, 23% को लागत निर्धारण गर्दछ।यस चरणमा SiC पातलो फिल्म एपिटेक्सीको मुख्य विधिहरू समावेश छन्: रासायनिक वाष्प निक्षेप (CVD), आणविक बीम एपिटेक्सी (MBE), तरल चरण एपिटेक्सी (LPE), र पल्स्ड लेजर डिपोजिसन र सबलिमिसन (PLD)।
Epitaxy सम्पूर्ण उद्योग मा एक धेरै महत्वपूर्ण लिङ्क हो।अर्ध-इन्सुलेट सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेटहरूमा GaN एपिटेक्सियल तहहरू बढाएर, सिलिकन कार्बाइडमा आधारित GaN एपिटेक्सियल वेफरहरू उत्पादन गरिन्छ, जसलाई उच्च इलेक्ट्रोन मोबिलिटी ट्रान्जिस्टरहरू (HEMTs) जस्ता GaN RF उपकरणहरूमा बनाउन सकिन्छ;
सिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सियल वेफर प्राप्त गर्न कन्डक्टिभ सब्सट्रेटमा सिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सियल लेयर बढाएर, र स्कटकी डायोड, गोल्ड-अक्सिजन हाफ-फिल्ड इफेक्ट ट्रान्जिस्टर, इन्सुलेटेड गेट बाईपोलर ट्रान्जिस्टर र अन्य पावर उपकरणहरूको निर्माणमा एपिटेक्सियल तहमा, त्यसैले गुणस्तर। उपकरण को प्रदर्शन मा epitaxial धेरै ठूलो प्रभाव छ उद्योग को विकास मा पनि एक धेरै महत्वपूर्ण भूमिका खेलिरहेको छ।
विस्तृत रेखाचित्र
![asd (1)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-110.jpg)
![asd (2)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-25.png)