एपिटेक्सियल तह
-
२०० मिमी ८ इन्च GaN नीलमणि एपि-लेयर वेफर सब्सट्रेटमा
-
४-इन्चको गिलासमा GaN: JGS1, JGS2, BF33, र साधारण क्वार्ट्ज सहित अनुकूलन योग्य गिलास विकल्पहरू
-
AlN-on-NPSS वेफर: उच्च-तापमान, उच्च-शक्ति, र RF अनुप्रयोगहरूको लागि गैर-पालिश गरिएको नीलमणि सब्सट्रेटमा उच्च-प्रदर्शन एल्युमिनियम नाइट्राइड तह
-
सिलिकन वेफरमा ग्यालियम नाइट्राइड ४ इन्च ६ इन्च अनुकूलित Si सब्सट्रेट अभिमुखीकरण, प्रतिरोधात्मकता, र N-प्रकार/P-प्रकार विकल्पहरू
-
अनुकूलित GaN-on-SiC एपिटेक्सियल वेफर्स (१०० मिमी, १५० मिमी) - बहु SiC सब्सट्रेट विकल्पहरू (४H-N, HPSI, ४H/६H-P)
-
GaN-on-Diamond Wafers ४ इन्च ६ इन्च कुल epi मोटाई (माइक्रोन) ०.६ ~ २.५ वा उच्च-फ्रिक्वेन्सी अनुप्रयोगहरूको लागि अनुकूलित
-
लेजर चिकित्सा उपचारको लागि GaAs उच्च-शक्ति एपिटेक्सियल वेफर सब्सट्रेट ग्यालियम आर्सेनाइड वेफर पावर लेजर तरंगदैर्ध्य 905nm
-
LiDAR को लागि InGaAs एपिटेक्सियल वेफर सब्सट्रेट PD एरे फोटोडिटेक्टर एरेहरू प्रयोग गर्न सकिन्छ।
-
फाइबर अप्टिक कम्युनिकेसन वा LiDAR को लागि २ इन्च ३ इन्च ४ इन्च InP एपिटेक्सियल वेफर सब्सट्रेट APD लाइट डिटेक्टर
-
सिलिकन-अन-इन्सुलेटर सब्सट्रेट SOI ले माइक्रोइलेक्ट्रोनिक्स र रेडियो फ्रिक्वेन्सीको लागि तीन तहहरू वेफर गर्दछ
-
सिलिकन ८-इन्च र ६-इन्च SOI (सिलिकन-अन-इन्सुलेटर) वेफरहरूमा SOI वेफर इन्सुलेटर
-
६ इन्च SiC एपिटेक्सी वेफर N/P प्रकार अनुकूलित स्वीकार गर्नुहोस्