MEMS को लागि नीलमणि वेफरमा उब्जाइएको ग्यालियम नाइट्राइड (GaN) एपिटेक्सियल ४ इन्च ६ इन्च
नीलमणि वेफरहरूमा GaN को गुणहरू
● उच्च दक्षता:GaN-आधारित उपकरणहरूले सिलिकन-आधारित उपकरणहरू भन्दा पाँच गुणा बढी शक्ति प्रदान गर्दछ, जसले RF प्रवर्धन र अप्टोइलेक्ट्रोनिक्स सहित विभिन्न इलेक्ट्रोनिक अनुप्रयोगहरूमा कार्यसम्पादन बढाउँछ।
● फराकिलो ब्यान्डग्याप:GaN को फराकिलो ब्यान्डग्यापले उच्च तापक्रममा उच्च दक्षता सक्षम बनाउँछ, जसले गर्दा यसलाई उच्च-शक्ति र उच्च-फ्रिक्वेन्सी अनुप्रयोगहरूको लागि आदर्श बनाउँछ।
● टिकाउपन:चरम अवस्थाहरू (उच्च तापक्रम र विकिरण) ह्यान्डल गर्ने GaN को क्षमताले कठोर वातावरणमा दीर्घकालीन कार्यसम्पादन सुनिश्चित गर्दछ।
● सानो आकार:GaN ले परम्परागत अर्धचालक सामग्रीहरूको तुलनामा बढी कम्प्याक्ट र हल्का तौल भएका उपकरणहरूको उत्पादनको लागि अनुमति दिन्छ, जसले गर्दा साना र अधिक शक्तिशाली इलेक्ट्रोनिक्सलाई सहज बनाउँछ।
सार
ग्यालियम नाइट्राइड (GaN) उच्च शक्ति र दक्षता चाहिने उन्नत अनुप्रयोगहरू, जस्तै RF फ्रन्ट-एन्ड मोड्युलहरू, उच्च-गति सञ्चार प्रणालीहरू, र LED प्रकाशको लागि रोजाइको अर्धचालकको रूपमा उदाइरहेको छ। नीलमणि सब्सट्रेटहरूमा हुर्काउँदा GaN एपिटेक्सियल वेफरहरूले उच्च थर्मल चालकता, उच्च ब्रेकडाउन भोल्टेज, र फराकिलो फ्रिक्वेन्सी प्रतिक्रियाको संयोजन प्रदान गर्दछ, जुन वायरलेस सञ्चार उपकरणहरू, रडारहरू र ज्यामरहरूमा इष्टतम प्रदर्शनको लागि महत्वपूर्ण हुन्छन्। यी वेफरहरू ४-इन्च र ६-इन्च व्यासमा उपलब्ध छन्, विभिन्न प्राविधिक आवश्यकताहरू पूरा गर्न फरक-फरक GaN मोटाईहरू सहित। GaN को अद्वितीय गुणहरूले यसलाई पावर इलेक्ट्रोनिक्सको भविष्यको लागि प्रमुख उम्मेदवार बनाउँछ।
उत्पादन प्यारामिटरहरू
| उत्पादन सुविधा | निर्दिष्टीकरण |
| वेफर व्यास | ५० मिमी, १०० मिमी, ५०.८ मिमी |
| सब्सट्रेट | नीलम |
| GaN तहको मोटाई | ०.५ माइक्रोमिटर - १० माइक्रोमिटर |
| GaN प्रकार/डोपिङ | एन-प्रकार (अनुरोधमा पी-प्रकार उपलब्ध छ) |
| GaN क्रिस्टल अभिमुखीकरण | <0001> |
| पालिस गर्ने प्रकार | एकल-पक्षीय पालिस गरिएको (SSP), डबल-पक्षीय पालिस गरिएको (DSP) |
| Al2O3 मोटाई | ४३० माइक्रोमिटर - ६५० माइक्रोमिटर |
| TTV (कुल मोटाई भिन्नता) | ≤ १० माइक्रोमिटर |
| धनुष | ≤ १० माइक्रोमिटर |
| ताना | ≤ १० माइक्रोमिटर |
| सतह क्षेत्रफल | प्रयोगयोग्य सतह क्षेत्रफल > ९०% |
प्रश्नोत्तर
Q1: परम्परागत सिलिकन-आधारित अर्धचालकहरूको तुलनामा GaN प्रयोग गर्नुका प्रमुख फाइदाहरू के के हुन्?
A1: GaN ले सिलिकन भन्दा धेरै महत्त्वपूर्ण फाइदाहरू प्रदान गर्दछ, जसमा फराकिलो ब्यान्डग्याप समावेश छ, जसले यसलाई उच्च ब्रेकडाउन भोल्टेजहरू ह्यान्डल गर्न र उच्च तापक्रममा कुशलतापूर्वक सञ्चालन गर्न अनुमति दिन्छ। यसले GaN लाई उच्च-शक्ति, उच्च-फ्रिक्वेन्सी अनुप्रयोगहरू जस्तै RF मोड्युलहरू, पावर एम्पलीफायरहरू, र LEDs को लागि आदर्श बनाउँछ। उच्च पावर घनत्वहरू ह्यान्डल गर्ने GaN को क्षमताले सिलिकन-आधारित विकल्पहरूको तुलनामा साना र अधिक कुशल उपकरणहरूलाई पनि सक्षम बनाउँछ।
Q2: के GaN अन नीलमणि वेफरहरू MEMS (माइक्रो-इलेक्ट्रो-मेकानिकल सिस्टम्स) अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग गर्न सकिन्छ?
A2: हो, नीलमणि वेफर्समा GaN MEMS अनुप्रयोगहरूको लागि उपयुक्त छ, विशेष गरी जहाँ उच्च शक्ति, तापक्रम स्थिरता, र कम आवाज आवश्यक पर्दछ। उच्च-फ्रिक्वेन्सी वातावरणमा सामग्रीको स्थायित्व र दक्षताले यसलाई वायरलेस सञ्चार, सेन्सिङ, र राडार प्रणालीहरूमा प्रयोग हुने MEMS उपकरणहरूको लागि आदर्श बनाउँछ।
प्रश्न ३: वायरलेस सञ्चारमा GaN को सम्भावित प्रयोगहरू के के हुन्?
A3: GaN वायरलेस सञ्चारको लागि RF फ्रन्ट-एन्ड मोड्युलहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ, जसमा 5G पूर्वाधार, राडार प्रणाली र ज्यामरहरू समावेश छन्। यसको उच्च पावर घनत्व र थर्मल चालकताले यसलाई उच्च-शक्ति, उच्च-फ्रिक्वेन्सी उपकरणहरूको लागि उत्तम बनाउँछ, जसले सिलिकन-आधारित समाधानहरूको तुलनामा राम्रो प्रदर्शन र साना फारम कारकहरूलाई सक्षम बनाउँछ।
Q4: नीलमणि वेफरहरूमा GaN को लागि लिड समय र न्यूनतम अर्डर मात्रा कति हो?
A4: लिड समय र न्यूनतम अर्डर मात्रा वेफरको आकार, GaN मोटाई, र विशिष्ट ग्राहक आवश्यकताहरूमा निर्भर गर्दछ। कृपया तपाईंको विशिष्टताहरूमा आधारित विस्तृत मूल्य निर्धारण र उपलब्धताको लागि हामीलाई सिधै सम्पर्क गर्नुहोस्।
Q5: के म अनुकूलन GaN तह मोटाई वा डोपिंग स्तरहरू प्राप्त गर्न सक्छु?
A5: हो, हामी विशिष्ट अनुप्रयोग आवश्यकताहरू पूरा गर्न GaN मोटाई र डोपिङ स्तरहरूको अनुकूलन प्रस्ताव गर्दछौं। कृपया हामीलाई तपाईंको इच्छित विशिष्टताहरू थाहा दिनुहोस्, र हामी एक अनुकूलित समाधान प्रदान गर्नेछौं।
विस्तृत रेखाचित्र
