इन्फ्रारेड डिटेक्टरहरूको लागि InSb वेफर २ इन्च ३ इन्च अनडोप गरिएको Ntype P प्रकार अभिमुखीकरण १११ १००
विशेषताहरू
डोपिङ विकल्पहरू:
१.अनडोप गरिएको:यी वेफरहरू कुनै पनि डोपिङ एजेन्टबाट मुक्त छन् र मुख्यतया एपिटेक्सियल वृद्धि जस्ता विशेष अनुप्रयोगहरूको लागि प्रयोग गरिन्छ, जहाँ वेफरले शुद्ध सब्सट्रेटको रूपमा काम गर्दछ।
२.N-प्रकार (टी डोपेड):टेलुरियम (Te) डोपिङ N-प्रकारको वेफरहरू सिर्जना गर्न प्रयोग गरिन्छ, जसले उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता प्रदान गर्दछ र तिनीहरूलाई इन्फ्रारेड डिटेक्टरहरू, उच्च-गति इलेक्ट्रोनिक्स, र कुशल इलेक्ट्रोन प्रवाह आवश्यक पर्ने अन्य अनुप्रयोगहरूको लागि उपयुक्त बनाउँछ।
३.P-प्रकार (Ge डोपेड):जर्मेनियम (Ge) डोपिङ P-प्रकारको वेफरहरू सिर्जना गर्न प्रयोग गरिन्छ, जसले उच्च प्वाल गतिशीलता प्रदान गर्दछ र इन्फ्रारेड सेन्सर र फोटोडिटेक्टरहरूको लागि उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान गर्दछ।
आकार विकल्पहरू:
१. वेफरहरू २-इन्च र ३-इन्च व्यासमा उपलब्ध छन्। यसले विभिन्न अर्धचालक निर्माण प्रक्रियाहरू र उपकरणहरूसँग अनुकूलता सुनिश्चित गर्दछ।
२. २-इन्च वेफरको व्यास ५०.८±०.३ मिमी छ, जबकि ३-इन्च वेफरको व्यास ७६.२±०.३ मिमी छ।
अभिमुखीकरण:
१. वेफरहरू १०० र १११ को अभिमुखीकरणका साथ उपलब्ध छन्। १०० अभिमुखीकरण उच्च-गति इलेक्ट्रोनिक्स र इन्फ्रारेड डिटेक्टरहरूको लागि आदर्श हो, जबकि १११ अभिमुखीकरण प्रायः विशिष्ट विद्युतीय वा अप्टिकल गुणहरू आवश्यक पर्ने उपकरणहरूको लागि प्रयोग गरिन्छ।
सतह गुणस्तर:
१. यी वेफरहरू उत्कृष्ट गुणस्तरको लागि पालिश गरिएको/नक्काशी गरिएको सतहहरूसँग आउँछन्, जसले गर्दा सटीक अप्टिकल वा विद्युतीय विशेषताहरू आवश्यक पर्ने अनुप्रयोगहरूमा इष्टतम प्रदर्शन सक्षम हुन्छ।
२. सतहको तयारीले कम दोष घनत्व सुनिश्चित गर्दछ, जसले गर्दा यी वेफरहरू इन्फ्रारेड पत्ता लगाउने अनुप्रयोगहरूको लागि आदर्श हुन्छन् जहाँ प्रदर्शन स्थिरता महत्त्वपूर्ण हुन्छ।
एपि-रेडी:
१. यी वेफरहरू एपि-रेडी छन्, जसले गर्दा एपिटेक्सियल वृद्धि समावेश गर्ने अनुप्रयोगहरूको लागि उपयुक्त हुन्छ जहाँ उन्नत अर्धचालक वा अप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरण निर्माणको लागि वेफरमा सामग्रीको थप तहहरू जम्मा गरिनेछ।
अनुप्रयोगहरू
१. इन्फ्रारेड डिटेक्टरहरू:InSb वेफरहरू इन्फ्रारेड डिटेक्टरहरूको निर्माणमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ, विशेष गरी मध्य-तरंगदैर्ध्य इन्फ्रारेड (MWIR) दायराहरूमा। तिनीहरू रात्रि दृष्टि प्रणाली, थर्मल इमेजिङ, र सैन्य अनुप्रयोगहरूको लागि आवश्यक छन्।
२. इन्फ्रारेड इमेजिङ प्रणालीहरू:InSb वेफरहरूको उच्च संवेदनशीलताले सुरक्षा, निगरानी, र वैज्ञानिक अनुसन्धान सहित विभिन्न क्षेत्रहरूमा सटीक इन्फ्रारेड इमेजिङको लागि अनुमति दिन्छ।
३. उच्च गतिको इलेक्ट्रोनिक्स:तिनीहरूको उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलताको कारण, यी वेफरहरू उच्च-गति ट्रान्जिस्टर र अप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू जस्ता उन्नत इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा प्रयोग गरिन्छ।
४. क्वान्टम वेल उपकरणहरू:InSb वेफरहरू लेजर, डिटेक्टर र अन्य अप्टोइलेक्ट्रोनिक प्रणालीहरूमा क्वान्टम वेल अनुप्रयोगहरूको लागि आदर्श हुन्।
उत्पादन प्यारामिटरहरू
| प्यारामिटर | २ इन्च | ३ इन्च |
| व्यास | ५०.८±०.३ मिमी | ७६.२±०.३ मिमी |
| मोटाई | ५००±५μm | ६५०±५μm |
| सतह | पालिस गरिएको/नक्काशी गरिएको | पालिस गरिएको/नक्काशी गरिएको |
| डोपिङको प्रकार | अनडोप्ड, टे-डोप्ड (N), जी-डोप्ड (P) | अनडोप्ड, टे-डोप्ड (N), जी-डोप्ड (P) |
| अभिमुखीकरण | १००, १११ | १००, १११ |
| प्याकेज | एकल | एकल |
| एपि-रेडी | हो | हो |
Te डोपेड (N-प्रकार) को लागि विद्युतीय प्यारामिटरहरू:
- गतिशीलता: २०००-५००० cm²/V·s
- प्रतिरोधात्मकता: (१-१०००) Ω·सेमी
- EPD (दोष घनत्व): ≤२००० दोष/सेमी²
Ge डोपेड (P-प्रकार) को लागि विद्युतीय प्यारामिटरहरू:
- गतिशीलता: ४०००-८००० cm²/V·s
- प्रतिरोधात्मकता: (०.५-५) Ω·सेमी
EPD (दोष घनत्व): ≤२००० दोष/सेमी²
प्रश्नोत्तर (बारम्बार सोधिने प्रश्नहरू)
Q1: इन्फ्रारेड पत्ता लगाउने अनुप्रयोगहरूको लागि आदर्श डोपिङ प्रकार के हो?
A1:टे-डोपेड (एन-प्रकार)वेफरहरू सामान्यतया इन्फ्रारेड पत्ता लगाउने अनुप्रयोगहरूको लागि आदर्श विकल्प हुन्, किनकि तिनीहरूले उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता र मध्य-तरंगदैर्ध्य इन्फ्रारेड (MWIR) डिटेक्टरहरू र इमेजिङ प्रणालीहरूमा उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान गर्छन्।
Q2: के म यी वेफरहरूलाई उच्च-गतिको इलेक्ट्रोनिक अनुप्रयोगहरूको लागि प्रयोग गर्न सक्छु?
A2: हो, InSb वेफरहरू, विशेष गरी ती जसमाएन-टाइप डोपिङर१०० अभिमुखीकरण, उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलताको कारणले गर्दा ट्रान्जिस्टर, क्वान्टम वेल उपकरणहरू, र अप्टोइलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्टहरू जस्ता उच्च-गति इलेक्ट्रोनिक्सको लागि राम्रोसँग उपयुक्त छन्।
Q3: InSb वेफरहरूको लागि १०० र १११ अभिमुखीकरणहरू बीच के भिन्नताहरू छन्?
A3: द१००अभिमुखीकरण सामान्यतया उच्च-गतिको इलेक्ट्रोनिक प्रदर्शन आवश्यक पर्ने उपकरणहरूको लागि प्रयोग गरिन्छ, जबकि१११अभिमुखीकरण प्रायः विशिष्ट अनुप्रयोगहरूको लागि प्रयोग गरिन्छ जसलाई फरक विद्युतीय वा अप्टिकल विशेषताहरू आवश्यक पर्दछ, जसमा निश्चित अप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू र सेन्सरहरू समावेश छन्।
Q4: InSb वेफरहरूको लागि Epi-Ready सुविधाको महत्त्व के हो?
A4: दएपि-रेडीविशेषताको अर्थ वेफरलाई एपिटेक्सियल डिपोजिसन प्रक्रियाहरूको लागि पूर्व-उपचार गरिएको छ। यो वेफरको माथि सामग्रीको अतिरिक्त तहहरूको वृद्धि आवश्यक पर्ने अनुप्रयोगहरूको लागि महत्त्वपूर्ण छ, जस्तै उन्नत अर्धचालक वा अप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको उत्पादनमा।
प्रश्न ५: इन्फ्रारेड प्रविधि क्षेत्रमा InSb वेफरहरूको विशिष्ट प्रयोगहरू के के हुन्?
A5: InSb वेफरहरू मुख्यतया इन्फ्रारेड पत्ता लगाउने, थर्मल इमेजिङ, रात्रि दृष्टि प्रणाली, र अन्य इन्फ्रारेड सेन्सिङ प्रविधिहरूमा प्रयोग गरिन्छ। तिनीहरूको उच्च संवेदनशीलता र कम आवाजले तिनीहरूलाई आदर्श बनाउँछमध्य-तरंगदैर्ध्य इन्फ्रारेड (MWIR)डिटेक्टरहरू।
Q6: वेफरको मोटाईले यसको कार्यसम्पादनलाई कसरी असर गर्छ?
A6: वेफरको मोटाईले यसको मेकानिकल स्थिरता र विद्युतीय विशेषताहरूमा महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छ। पातलो वेफरहरू प्रायः अधिक संवेदनशील अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग गरिन्छ जहाँ सामग्री गुणहरूमा सटीक नियन्त्रण आवश्यक हुन्छ, जबकि बाक्लो वेफरहरूले निश्चित औद्योगिक अनुप्रयोगहरूको लागि बढेको स्थायित्व प्रदान गर्दछ।
Q7: मेरो आवेदनको लागि उपयुक्त वेफर साइज कसरी छनौट गर्ने?
A7: उपयुक्त वेफरको आकार डिजाइन गरिएको विशिष्ट उपकरण वा प्रणालीमा निर्भर गर्दछ। साना वेफरहरू (२-इन्च) प्रायः अनुसन्धान र साना-स्तरीय अनुप्रयोगहरूको लागि प्रयोग गरिन्छ, जबकि ठूला वेफरहरू (३-इन्च) सामान्यतया ठूलो उत्पादन र थप सामग्री चाहिने ठूला उपकरणहरूको लागि प्रयोग गरिन्छ।
निष्कर्ष
InSb वेफर इन२ इन्चर३ इन्चआकारहरू, सँगपूर्ववत गरिएको, एन-प्रकार, रपी-प्रकारभिन्नताहरू, अर्धचालक र अप्टोइलेक्ट्रोनिक अनुप्रयोगहरूमा अत्यधिक मूल्यवान छन्, विशेष गरी इन्फ्रारेड पत्ता लगाउने प्रणालीहरूमा।१००र१११अभिमुखीकरणले उच्च-गति इलेक्ट्रोनिक्सदेखि इन्फ्रारेड इमेजिङ प्रणालीसम्म विभिन्न प्राविधिक आवश्यकताहरूको लागि लचिलोपन प्रदान गर्दछ। तिनीहरूको असाधारण इलेक्ट्रोन गतिशीलता, कम आवाज, र सटीक सतह गुणस्तरको साथ, यी वेफरहरू आदर्श हुन्मध्य-तरंगदैर्ध्य इन्फ्रारेड डिटेक्टरहरूर अन्य उच्च-प्रदर्शन अनुप्रयोगहरू।
विस्तृत रेखाचित्र
