LNOI वेफर (इन्सुलेटरमा लिथियम निओबेट) दूरसञ्चार संवेदन उच्च इलेक्ट्रो-अप्टिक
विस्तृत रेखाचित्र
अवलोकन
वेफर बक्स भित्र सममित ग्रुभहरू हुन्छन्, जसका आयामहरू वेफरको दुई छेउलाई समर्थन गर्न कडा रूपमा एकरूप हुन्छन्। क्रिस्टल बक्स सामान्यतया पारदर्शी प्लास्टिक पीपी सामग्रीबाट बनेको हुन्छ जुन तापक्रम, पहिरन र स्थिर बिजुली प्रतिरोधी हुन्छ। अर्धचालक उत्पादनमा धातु प्रक्रिया खण्डहरू छुट्याउन विभिन्न रंगका additives प्रयोग गरिन्छ। अर्धचालकहरूको सानो कुञ्जी आकार, बाक्लो ढाँचाहरू, र उत्पादनमा धेरै कडा कण आकार आवश्यकताहरूको कारणले गर्दा, वेफर बक्सलाई विभिन्न उत्पादन मेसिनहरूको माइक्रोएन्वायरमेन्ट बक्स प्रतिक्रिया गुहामा जडान गर्न सफा वातावरणको ग्यारेन्टी गर्नुपर्छ।
निर्माण विधि
LNOI वेफरहरूको निर्माणमा धेरै सटीक चरणहरू हुन्छन्:
चरण १: हेलियम आयन प्रत्यारोपणआयन इम्प्लान्टर प्रयोग गरेर हेलियम आयनहरूलाई बल्क LN क्रिस्टलमा घुसाइन्छ। यी आयनहरू एक विशिष्ट गहिराइमा बस्छन्, एक कमजोर समतल बनाउँछन् जसले अन्ततः फिल्म डिटेचमेन्टलाई सहज बनाउँछ।
चरण २: आधार सब्सट्रेट गठनPECVD वा थर्मल अक्सिडेशन प्रयोग गरेर छुट्टै सिलिकन वा LN वेफरलाई SiO2 सँग अक्सिडाइज वा तह लगाइन्छ। यसको माथिल्लो सतहलाई इष्टतम बन्धनको लागि समतल बनाइएको छ।
चरण ३: LN लाई सब्सट्रेटमा जोड्नेआयन-इम्प्लान्ट गरिएको LN क्रिस्टललाई पल्टाइन्छ र प्रत्यक्ष वेफर बन्धन प्रयोग गरेर बेस वेफरमा जोडिन्छ। अनुसन्धान सेटिङहरूमा, बेन्जोसाइक्लोब्युटिन (BCB) लाई कम कडा परिस्थितिहरूमा बन्धनलाई सरल बनाउन टाँसिने पदार्थको रूपमा प्रयोग गर्न सकिन्छ।
चरण ४: थर्मल उपचार र फिल्म पृथकीकरणएनिलिङले प्रत्यारोपित गहिराइमा बबल गठनलाई सक्रिय बनाउँछ, जसले गर्दा पातलो फिल्म (माथिल्लो LN तह) लाई थोकबाट अलग गर्न सकिन्छ। एक्सफोलिएशन पूरा गर्न यान्त्रिक बल प्रयोग गरिन्छ।
चरण ५: सतह पालिस गर्नेमाथिल्लो LN सतहलाई चिल्लो बनाउन, अप्टिकल गुणस्तर र उपकरणको उपजमा सुधार गर्न केमिकल मेकानिकल पालिसिङ (CMP) प्रयोग गरिन्छ।
प्राविधिक प्यारामिटरहरू
| सामाग्री | अप्टिकल ग्रेड LiNbO3 लाई फाइबरमा परिणत गर्नुहोस् वेफ्स(सेतो or कालो) | |
| क्युरी तापक्रम | ११४२±०.७℃ | |
| काट्ने कोण | X/Y/Z आदि | |
| व्यास/आकार | २”/३”/४” ±०.०३ मिमी | |
| टोल(±) | <०.२० मिमी ±०.००५ मिमी | |
| मोटाई | ०.१८~०.५ मिमी वा सोभन्दा बढी | |
| प्राथमिक समतल | १६ मिमी/२२ मिमी/३२ मिमी | |
| टीटीभी | <३ माइक्रोमिनेट | |
| धनुष | -३० | |
| ताना | <४० माइक्रोमिटर | |
| अभिमुखीकरण समतल | सबै उपलब्ध छन् | |
| सतह प्रकारहरू | एकल पक्षीय पालिस गरिएको (SSP)/दोहोरो पक्षीय पालिस गरिएको (DSP) | |
| पालिस गरिएको पक्ष Ra | <०.५ एनएम | |
| एस/डी | १०/२० | |
| किनारा मापदण्ड | R=०.२ मिमी सी-प्रकार or बुलनोज | |
| गुणस्तर | नि:शुल्क of फुट्नु (बुलबुले) र समावेशीकरणहरू) | |
| अप्टिकल डोप गरिएको | मिलीग्राम/फे/जेडएन/एमजीओ आदि को लागि अप्टिकल ग्रेड LN का थप वस्तुहरू वेफरहरू प्रति अनुरोध गरिएको | |
| वेफर सतह मापदण्ड | अपवर्तन सूचकांक | No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm तरंगदैर्ध्य/प्रिज्म युग्मक विधि। |
| प्रदूषण, | कुनै पनि होइन | |
| कणहरू ग> ०.३ माइक्रो m | <=३० | |
| स्क्र्याच, चिपिङ | कुनै पनि होइन | |
| दोष | किनारामा कुनै दरार, खरोंच, आराका दागहरू छैनन् | |
| प्याकेजिङ | मात्रा/वेफर बक्स | प्रति बक्स २५ पिस |
केसहरू प्रयोग गर्नुहोस्
यसको बहुमुखी प्रतिभा र कार्यसम्पादनको कारण, LNOI धेरै उद्योगहरूमा प्रयोग गरिन्छ:
फोटोनिक्स:कम्प्याक्ट मोड्युलेटर, मल्टिप्लेक्सर र फोटोनिक सर्किटहरू।
आरएफ/ध्वनिकी:ध्वनिक-अप्टिक मोड्युलेटरहरू, आरएफ फिल्टरहरू।
क्वान्टम कम्प्युटिङ:ननलाइनर फ्रिक्वेन्सी मिक्सर र फोटोन-जोडी जेनेरेटरहरू।
रक्षा र एयरोस्पेस:कम-क्षति अप्टिकल जाइरो, फ्रिक्वेन्सी-शिफ्टिङ उपकरणहरू।
चिकित्सा उपकरणहरू:अप्टिकल बायोसेन्सर र उच्च-फ्रिक्वेन्सी सिग्नल प्रोबहरू।
सोधिने प्रश्न
प्रश्न: अप्टिकल प्रणालीहरूमा SOI भन्दा LNOI लाई किन प्राथमिकता दिइन्छ?
A:LNOI मा उत्कृष्ट इलेक्ट्रो-अप्टिक गुणांक र फराकिलो पारदर्शिता दायरा रहेको छ, जसले फोटोनिक सर्किटहरूमा उच्च प्रदर्शन सक्षम पार्छ।
प्रश्न: के विभाजन पछि CMP अनिवार्य छ?
A:हो। आयन-स्लाइसिङ पछि खुला LN सतह खस्रो हुन्छ र अप्टिकल-ग्रेड विशिष्टताहरू पूरा गर्न पालिस गर्नुपर्छ।
प्रश्न: उपलब्ध अधिकतम वेफर आकार कति छ?
A:व्यावसायिक LNOI वेफरहरू मुख्यतया ३” र ४” आकारका हुन्छन्, यद्यपि केही आपूर्तिकर्ताहरूले ६” आकारका भेरियन्टहरू विकास गरिरहेका छन्।
प्रश्न: के विभाजन पछि LN तह पुन: प्रयोग गर्न सकिन्छ?
A:बेस क्रिस्टललाई धेरै पटक पुन: पालिस गर्न र पुन: प्रयोग गर्न सकिन्छ, यद्यपि धेरै चक्र पछि गुणस्तर घट्न सक्छ।
प्रश्न: के LNOI वेफरहरू CMOS प्रशोधनसँग उपयुक्त छन्?
A:हो, तिनीहरू परम्परागत अर्धचालक निर्माण प्रक्रियाहरूसँग मिल्दोजुल्दो गरी डिजाइन गरिएका छन्, विशेष गरी जब सिलिकन सब्सट्रेटहरू प्रयोग गरिन्छ।
