Si कम्पोजिट सब्सट्रेटहरूमा अर्ध-इन्सुलेटिङ SiC
वस्तुहरू | निर्दिष्टीकरण | वस्तुहरू | निर्दिष्टीकरण |
व्यास | १५०±०.२ मिमी | अभिमुखीकरण | <111>/<100>/<110> र यस्तै |
पोलिटाइप | 4H | प्रकारहरू | पी/एन |
प्रतिरोधात्मकता | ≥१E८Ωसेमी | समतलता | समतल/खाच |
तह मोटाई स्थानान्तरण गर्नुहोस् | ≥०.१ माइक्रोमिटर | किनारा चिप, खरोंच, दरार (दृश्य निरीक्षण) | कुनै पनि होइन |
शून्य | ≤५ ईए/वेफर (२ मिमी>डी>०.५ मिमी) | टीटीभी | ≤५μm |
अगाडिको खस्रोपन | Ra≤०.२nm (५ माइक्रोमिटर*५ माइक्रोमिटर) | मोटाई | ५००/६२५/६७५±२५μm |
यो संयोजनले इलेक्ट्रोनिक्स उत्पादनमा धेरै फाइदाहरू प्रदान गर्दछ:
अनुकूलता: सिलिकन सब्सट्रेटको प्रयोगले यसलाई मानक सिलिकन-आधारित प्रशोधन प्रविधिहरूसँग उपयुक्त बनाउँछ र अवस्थित अर्धचालक उत्पादन प्रक्रियाहरूसँग एकीकरण गर्न अनुमति दिन्छ।
उच्च तापक्रम प्रदर्शन: SiC मा उत्कृष्ट थर्मल चालकता छ र यो उच्च तापक्रममा सञ्चालन हुन सक्छ, जसले गर्दा यो उच्च शक्ति र उच्च आवृत्ति इलेक्ट्रोनिक अनुप्रयोगहरूको लागि उपयुक्त छ।
उच्च ब्रेकडाउन भोल्टेज: SiC सामग्रीहरूमा उच्च ब्रेकडाउन भोल्टेज हुन्छ र विद्युतीय ब्रेकडाउन बिना उच्च विद्युत क्षेत्रहरू सहन सक्छ।
कम पावर हानि: SiC सब्सट्रेटहरूले परम्परागत सिलिकन-आधारित सामग्रीहरूको तुलनामा इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा बढी कुशल पावर रूपान्तरण र कम पावर हानिको लागि अनुमति दिन्छ।
फराकिलो ब्यान्डविथ: SiC मा फराकिलो ब्यान्डविथ छ, जसले गर्दा उच्च तापक्रम र उच्च पावर घनत्वमा सञ्चालन हुन सक्ने इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको विकास सम्भव हुन्छ।
त्यसैले Si कम्पोजिट सब्सट्रेटहरूमा अर्ध-इन्सुलेटिङ SiC ले सिलिकनको अनुकूलतालाई SiC को उत्कृष्ट विद्युतीय र थर्मल गुणहरूसँग जोड्दछ, जसले गर्दा यसलाई उच्च-प्रदर्शन इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उपयुक्त बनाउँछ।
प्याकिङ र डेलिभरी
१. हामी प्याक गर्न सुरक्षात्मक प्लास्टिक र अनुकूलित बक्स प्रयोग गर्नेछौं। (वातावरण मैत्री सामग्री)
२. हामी मात्रा अनुसार अनुकूलित प्याकिङ गर्न सक्छौं।
३. DHL/Fedex/UPS एक्सप्रेसलाई गन्तव्यमा पुग्न सामान्यतया ३-७ कार्य दिन लाग्छ।
विस्तृत रेखाचित्र

