सब्सट्रेट
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४H-N ८ इन्च SiC सब्सट्रेट वेफर सिलिकन कार्बाइड डमी रिसर्च ग्रेड ५००um मोटाई
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४H-N/६H-N SiC वेफर रिसर्च उत्पादन डमी ग्रेड Dia१५०mm सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट
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१२ इन्च SIC सब्सट्रेट सिलिकन कार्बाइड प्राइम ग्रेड व्यास ३०० मिमी ठूलो आकार ४H-N उच्च शक्ति उपकरण ताप अपव्ययको लागि उपयुक्त
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व्यास३००x१.० मिमी मोटाई नीलमणि वेफर सी-प्लेन एसएसपी/डीएसपी
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८ इन्च २०० मिमी नीलमणि सब्सट्रेट नीलमणि वेफर पातलो मोटाई १SP २SP ०.५ मिमी ०.७५ मिमी
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८ इन्चको SiC सिलिकन कार्बाइड वेफर ४H-N प्रकार ०.५ मिमी उत्पादन ग्रेड अनुसन्धान ग्रेड कस्टम पॉलिश गरिएको सब्सट्रेट
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HPSI SiC वेफर व्यास: ३ इन्च मोटाई: ३५०um± २५ µm पावर इलेक्ट्रोनिक्सको लागि
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सिंगल क्रिस्टल Al2O3 ९९.९९९% Dia२००mm नीलमणि वेफर्स १.०mm ०.७५mm मोटाई
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क्यारियर सी-प्लेन डीएसपी टीटीभीको लागि १५६ मिमी १५९ मिमी ६ इन्च नीलमणि वेफर
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C/A/M अक्ष ४ इन्च नीलमणि वेफर्स सिंगल क्रिस्टल Al2O3, SSP DSP उच्च कठोरता नीलमणि सब्सट्रेट
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३ इन्च उच्च शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग （HPSI）SiC वेफर ३५०um डमी ग्रेड प्राइम ग्रेड
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P-प्रकार SiC सब्सट्रेट SiC वेफर Dia2inch नयाँ उत्पादन