४ इन्च-१२ इन्च नीलमणि/SiC/Si वेफर प्रशोधनको लागि वेफर पातलो गर्ने उपकरण

१. उन्नत प्याकेजिङ
• 3D ICs: वेफर थिनिङले तर्क/मेमोरी चिप्स (जस्तै, HBM स्ट्याकहरू) को ठाडो स्ट्याकिङ सक्षम बनाउँछ, 2.5D समाधानहरूको तुलनामा 10× उच्च ब्यान्डविथ र 50% कम पावर खपत प्राप्त गर्दछ। उपकरणले हाइब्रिड बन्डिङ र TSV (थ्रु-सिलिकन भिया) एकीकरणलाई समर्थन गर्दछ, AI/ML प्रोसेसरहरूको लागि महत्वपूर्ण छ जसलाई <10 μm इन्टरकनेक्ट पिच चाहिन्छ। उदाहरणका लागि, 25 μm मा पातलो गरिएका 12-इन्च वेफरहरूले <1.5% वारपेज कायम राख्दै 8+ तहहरू स्ट्याक गर्न अनुमति दिन्छ, जुन अटोमोटिभ LiDAR प्रणालीहरूको लागि आवश्यक छ।

• फ्यान-आउट प्याकेजिङ: वेफर मोटाईलाई ३० μm मा घटाएर, इन्टरकनेक्ट लम्बाइ ५०% ले छोटो पारिन्छ, सिग्नल ढिलाइ (<०.२ ps/mm) लाई कम गर्छ र मोबाइल SoC हरूको लागि ०.४ मिमी अल्ट्रा-थिन चिपलेटहरू सक्षम पार्छ। यो प्रक्रियाले वारपेज (>५० μm TTV नियन्त्रण) रोक्न तनाव-क्षतिपूर्ति ग्राइन्डिङ एल्गोरिदमहरूको लाभ उठाउँछ, उच्च-फ्रिक्वेन्सी RF अनुप्रयोगहरूमा विश्वसनीयता सुनिश्चित गर्दै।

२. पावर इलेक्ट्रोनिक्स​
• IGBT मोड्युलहरू: ५० μm सम्म पातलो गर्नाले थर्मल प्रतिरोध <०.५°C/W सम्म घट्छ, जसले गर्दा १२००V SiC MOSFET हरूलाई २००°C जंक्शन तापक्रममा सञ्चालन गर्न सक्षम बनाउँछ। हाम्रो उपकरणले बहु-चरण ग्राइन्डिङ (मोटो: ४६ μm ग्रिट → फाइन: ४ μm ग्रिट) प्रयोग गर्दछ जसले गर्दा सतहको क्षति हट्छ, जसले गर्दा १०,००० भन्दा बढी थर्मल साइकल चलाउने विश्वसनीयता प्राप्त हुन्छ। यो EV इन्भर्टरहरूको लागि महत्त्वपूर्ण छ, जहाँ १० μm-मोटो SiC वेफरहरूले स्विचिङ गतिलाई ३०% ले सुधार गर्छ।
• GaN-on-SiC पावर उपकरणहरू: ८० μm सम्म वेफर थिनिङले ६५०V GaN HEMT हरूको लागि इलेक्ट्रोन गतिशीलता (μ > २००० cm²/V·s) बढाउँछ, जसले गर्दा १८% ले चालन घाटा घट्छ। यो प्रक्रियाले थिनिङको समयमा क्र्याक हुनबाट रोक्न लेजर-सहायता प्राप्त डाइसिङ प्रयोग गर्दछ, RF पावर एम्पलीफायरहरूको लागि <५ μm एज चिपिङ प्राप्त गर्दछ।

३. अप्टोइलेक्ट्रोनिक्स
• GaN-on-SiC LEDs: ५० μm नीलमणि सब्सट्रेटहरूले फोटोन ट्र्यापिङलाई कम गरेर प्रकाश निकासी दक्षता (LEE) लाई ८५% (१५० μm वेफरहरूको लागि ६५% बनाम) मा सुधार गर्दछ। हाम्रो उपकरणको अल्ट्रा-लो TTV नियन्त्रण (<०.३ μm) ले १२-इन्च वेफरहरूमा एकरूप LED उत्सर्जन सुनिश्चित गर्दछ, जुन माइक्रो-LED डिस्प्लेहरूको लागि महत्वपूर्ण छ जसलाई <१००nm तरंगदैर्ध्य एकरूपता आवश्यक पर्दछ।
• सिलिकन फोटोनिक्स: २५μm-बाक्लो सिलिकन वेफरहरूले वेभगाइडहरूमा ३ dB/cm कम प्रसार हानि सक्षम बनाउँछ, जुन १.६ Tbps अप्टिकल ट्रान्सीभरहरूको लागि आवश्यक छ। यो प्रक्रियाले सतहको खुरदरापनलाई Ra <0.1 nm मा घटाउन CMP स्मूथिङलाई एकीकृत गर्दछ, जसले गर्दा युग्मन दक्षता ४०% ले बढ्छ।

४. MEMS सेन्सरहरू
• एक्सेलेरोमिटरहरू: २५ μm सिलिकन वेफरहरूले प्रमाण-मास विस्थापन संवेदनशीलता बढाएर SNR >८५ dB (५० μm वेफरहरूको लागि ७५ dB बनाम) प्राप्त गर्छन्। हाम्रो दोहोरो-अक्ष ग्राइन्डिङ प्रणालीले तनाव ग्रेडियन्टहरूको लागि क्षतिपूर्ति दिन्छ, -४०°C देखि १२५°C सम्म <०.५% संवेदनशीलता बहाव सुनिश्चित गर्दै। अनुप्रयोगहरूमा अटोमोटिभ क्र्यास पत्ता लगाउने र AR/VR गति ट्र्याकिङ समावेश छ।

• प्रेसर सेन्सरहरू: ४० μm सम्म पातलो गर्नाले <०.१% FS हिस्टेरेसिसको साथ ०–३०० बार मापन दायराहरू सक्षम बनाउँछ। अस्थायी बन्धन (ग्लास क्यारियरहरू) प्रयोग गरेर, प्रक्रियाले ब्याकसाइड इचिङको समयमा वेफर फ्र्याक्चरलाई रोक्छ, औद्योगिक IoT सेन्सरहरूको लागि <१ μm ओभरप्रेसर सहनशीलता प्राप्त गर्दछ।

• प्राविधिक तालमेल: हाम्रो वेफर थिइनिंग उपकरणले विविध सामग्री चुनौतीहरू (Si, SiC, नीलमणि) लाई सम्बोधन गर्न मेकानिकल ग्राइन्डिङ, CMP, र प्लाज्मा एचिङलाई एकीकृत गर्दछ। उदाहरणका लागि, GaN-on-SiC लाई कठोरता र थर्मल विस्तार सन्तुलन गर्न हाइब्रिड ग्राइन्डिङ (हीरा पाङ्ग्राहरू + प्लाज्मा) आवश्यक पर्दछ, जबकि MEMS सेन्सरहरूले CMP पालिसिङ मार्फत उप-5 nm सतह खस्रोपनको माग गर्दछ।

• उद्योग प्रभाव: पातलो, उच्च-प्रदर्शन वेफरहरू सक्षम पारेर, यो प्रविधिले AI चिप्स, 5G mmWave मोड्युलहरू, र लचिलो इलेक्ट्रोनिक्समा नवीनताहरू ल्याउँछ, जसमा TTV सहिष्णुता फोल्डेबल डिस्प्लेको लागि <0.1 μm र अटोमोटिभ LiDAR सेन्सरहरूको लागि <0.5 μm हुन्छ।