2 इन्च 50.8mm नीलमणि वेफर सी-प्लेन एम-प्लेन आर-प्लेन ए-प्लेन मोटाई 350um 430um 500um

छोटो विवरण:

नीलमणि भौतिक, रासायनिक र अप्टिकल गुणहरूको एक अद्वितीय संयोजनको सामग्री हो, जसले यसलाई उच्च तापक्रम, थर्मल झटका, पानी र बालुवा क्षरण, र स्क्र्याचिङ प्रतिरोधी बनाउँछ।


उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

विभिन्न अभिमुखीकरण को विशिष्टता

अभिमुखीकरण

C(0001)-अक्ष

R(1-102)-अक्ष

M(10-10) -अक्ष

A(11-20)-अक्ष

भौतिक सम्पत्ति

C अक्षमा क्रिस्टल प्रकाश छ, र अन्य अक्षहरूमा नकारात्मक प्रकाश छ।प्लेन सी समतल छ, प्राथमिकतामा काटिएको छ।

आर-प्लेन A भन्दा अलि कडा।

M विमान स्टेप गरिएको दाँतेदार छ, काट्न सजिलो छैन, काट्न सजिलो छ। ए-प्लेनको कठोरता सी-प्लेनको भन्दा उल्लेखनीय रूपमा उच्च छ, जुन पहिरन प्रतिरोध, स्क्र्याच प्रतिरोध र उच्च कठोरतामा प्रकट हुन्छ;साइड ए-प्लेन एक zigzag विमान हो, जुन काट्न सजिलो छ;
अनुप्रयोगहरू

C-ओरिएंटेड नीलमणि सब्सट्रेटहरू III-V र II-VI जम्मा गरिएका फिल्महरू बढाउन प्रयोग गरिन्छ, जस्तै ग्यालियम नाइट्राइड, जसले नीलो एलईडी उत्पादनहरू, लेजर डायोडहरू, र इन्फ्रारेड डिटेक्टर अनुप्रयोगहरू उत्पादन गर्न सक्छ।
यसको मुख्य कारण सी-अक्षमा नीलमणि क्रिस्टल वृद्धिको प्रक्रिया परिपक्व छ, लागत तुलनात्मक रूपमा कम छ, भौतिक र रासायनिक गुणहरू स्थिर छन्, र सी-प्लेनमा एपिटेक्सीको प्रविधि परिपक्व र स्थिर छ।

माइक्रोइलेक्ट्रोनिक्स एकीकृत सर्किटहरूमा प्रयोग गरिएका विभिन्न जम्मा गरिएका सिलिकन एक्स्ट्रासिस्टलहरूको आर-उन्मुख सब्सट्रेट वृद्धि।
थप रूपमा, उच्च-गति एकीकृत सर्किट र दबाव सेन्सरहरू पनि एपिटेक्सियल सिलिकन वृद्धिको फिल्म उत्पादनको प्रक्रियामा गठन गर्न सकिन्छ।आर-टाइप सब्सट्रेटलाई सीसा, अन्य सुपरकन्डक्टिङ कम्पोनेन्टहरू, उच्च प्रतिरोधी प्रतिरोधकहरू, ग्यालियम आर्सेनाइडको उत्पादनमा पनि प्रयोग गर्न सकिन्छ।

यो मुख्यतया चमकदार दक्षता सुधार गर्न गैर-ध्रुवीय / अर्ध-ध्रुवीय GaN epitaxial फिल्महरू बढ्न प्रयोग गरिन्छ। ए-उन्मुख सब्सट्रेटले एक समान अनुमति/मध्यम उत्पादन गर्छ, र हाइब्रिड माइक्रोइलेक्ट्रोनिक्स प्रविधिमा उच्च स्तरको इन्सुलेशन प्रयोग गरिन्छ।उच्च तापमान सुपरकन्डक्टरहरू ए-बेस लम्बित क्रिस्टलबाट उत्पादन गर्न सकिन्छ।
प्रशोधन क्षमता ढाँचा नीलमणि सब्सट्रेट (PSS): बृद्धि वा नक्काशीको रूपमा, एलईडीको प्रकाश आउटपुट फारमलाई नियन्त्रण गर्न र नीलमणि सब्सट्रेटमा बढ्दो GaN बीचको भिन्नता दोषहरू कम गर्न नीलमणि सब्सट्रेटमा नैनोस्केल विशिष्ट नियमित माइक्रोस्ट्रक्चर ढाँचाहरू डिजाइन गरी बनाइन्छ। , epitaxy गुणस्तर सुधार गर्नुहोस्, र LED को आन्तरिक क्वान्टम दक्षता बढाउनुहोस् र प्रकाश निकासी को दक्षता बढाउनुहोस्।
थप रूपमा, नीलमणि प्रिज्म, ऐना, लेन्स, प्वाल, कोन र अन्य संरचनात्मक भागहरू ग्राहक आवश्यकता अनुसार अनुकूलित गर्न सकिन्छ।

सम्पत्ति घोषणा

घनत्व कठोरता पिघलने बिन्दु अपवर्तक सूचकांक (दृश्य र अवरक्त) ट्रान्समिटेन्स (डीएसपी) डाइलेक्ट्रिक स्थिर
3.98g/cm3 ९ (mohs) २०५३ ℃ १.७६२~१.७७० ≥८५% 11.58@300K C अक्षमा (9.4 A अक्षमा)

विस्तृत रेखाचित्र

avcasvb (1)
avcasvb (2)
avcasvb (3)

  • अघिल्लो:
  • अर्को:

  • यहाँ आफ्नो सन्देश लेख्नुहोस् र हामीलाई पठाउनुहोस्