4H-N 4 इन्च SiC सब्सट्रेट वेफर सिलिकन कार्बाइड उत्पादन डमी अनुसन्धान ग्रेड
अनुप्रयोगहरू
4-इन्च सिलिकन कार्बाइड एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट वेफर्सले धेरै क्षेत्रहरूमा महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छ।पहिलो, यो पावर ट्रान्जिस्टरहरू, एकीकृत सर्किटहरू र पावर मोड्युलहरू जस्ता उच्च-शक्ति इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको तयारीमा अर्धचालक उद्योगमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ।यसको उच्च थर्मल चालकता र उच्च तापक्रम प्रतिरोधले यसलाई गर्मीलाई राम्रोसँग फैलाउन र अधिक काम गर्ने दक्षता र विश्वसनीयता प्रदान गर्न सक्षम बनाउँछ।दोस्रो, सिलिकन कार्बाइड वेफरहरू पनि अनुसन्धान क्षेत्रमा नयाँ सामग्री र उपकरणहरूमा अनुसन्धान गर्न प्रयोग गरिन्छ।थप रूपमा, सिलिकन कार्बाइड वेफर्सहरू अप्टोइलेक्ट्रोनिक्समा पनि व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ, जस्तै एलईडी र लेजर डायोडको निर्माण।
4 इन्च SiC वेफरको विशिष्टताहरू
४ इन्च सिलिकन कार्बाइड एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट वेफर व्यास ४ इन्च (लगभग १०१.६ मिमी), सतह समाप्त Ra <०.५ एनएम सम्म, मोटाई ६००±२५ μm।वेफरको चालकता N प्रकार वा P प्रकार हो र ग्राहकको आवश्यकता अनुसार अनुकूलित गर्न सकिन्छ।साथै, चिप पनि उत्कृष्ट यांत्रिक स्थिरता छ, दबाब र कम्पन को एक निश्चित मात्रा सामना गर्न सक्छ।
इन्च सिलिकन कार्बाइड एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट वेफर अर्धचालक, अनुसन्धान र अप्टोइलेक्ट्रोनिक्स क्षेत्रहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग हुने उच्च प्रदर्शन सामग्री हो।यसमा उत्कृष्ट थर्मल चालकता, मेकानिकल स्थिरता र उच्च तापक्रम प्रतिरोध छ, जुन उच्च शक्ति इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको तयारी र नयाँ सामग्रीको अनुसन्धानको लागि उपयुक्त छ।हामी विभिन्न प्रकारका ग्राहक आवश्यकताहरू पूरा गर्न विभिन्न विनिर्देशहरू र अनुकूलन विकल्पहरू प्रस्ताव गर्दछौं।सिलिकन कार्बाइड वेफर्सको उत्पादन जानकारीको बारेमा थप जान्नको लागि कृपया हाम्रो स्वतन्त्र साइटमा ध्यान दिनुहोस्।
मुख्य कार्यहरू: सिलिकन कार्बाइड वेफर्स, सिलिकन कार्बाइड एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट वेफर्स, 4 इन्च, थर्मल चालकता, मेकानिकल स्थिरता, उच्च तापमान प्रतिरोध, पावर ट्रान्जिस्टर, एकीकृत सर्किट, पावर मोड्युल, एलईडी, लेजर डायोड, सतह समाप्त, चालकता, अनुकूलन विकल्पहरू
विस्तृत रेखाचित्र
