50.8mm 2inch GaN नीलमणि एपि-लेयर वेफरमा
ग्यालियम नाइट्राइड GaN epitaxial पाना को आवेदन
ग्यालियम नाइट्राइडको प्रदर्शनमा आधारित, ग्यालियम नाइट्राइड एपिटेक्सियल चिपहरू मुख्यतया उच्च शक्ति, उच्च आवृत्ति, र कम भोल्टेज अनुप्रयोगहरूको लागि उपयुक्त छन्।
यो प्रतिबिम्बित छ:
1) उच्च ब्यान्डग्याप: उच्च ब्यान्डग्यापले ग्यालियम नाइट्राइड उपकरणहरूको भोल्टेज स्तर सुधार गर्दछ र ग्यालियम आर्सेनाइड उपकरणहरू भन्दा उच्च शक्ति उत्पादन गर्न सक्छ, जुन विशेष गरी 5G संचार आधार स्टेशनहरू, सैन्य रडार र अन्य क्षेत्रहरूको लागि उपयुक्त छ;
2) उच्च रूपान्तरण दक्षता: ग्यालियम नाइट्राइड स्विचिंग पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको अन-प्रतिरोध सिलिकन उपकरणहरूको भन्दा कम परिमाणको 3 अर्डर हो, जसले अन-स्विचिंग हानिलाई उल्लेखनीय रूपमा कम गर्न सक्छ;
3) उच्च थर्मल चालकता: ग्यालियम नाइट्राइड को उच्च थर्मल चालकता यो उत्कृष्ट गर्मी अपव्यय प्रदर्शन, उच्च-शक्ति, उच्च-तापमान र उपकरणहरूको अन्य क्षेत्रहरूको उत्पादनको लागि उपयुक्त बनाउँछ;
4) ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फिल्ड बल: यद्यपि ग्यालियम नाइट्राइडको ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फिल्ड बल सिलिकन नाइट्राइडको नजिक छ, अर्धचालक प्रक्रिया, सामग्री जाली बेमेल र अन्य कारकहरूको कारण, ग्यालियम नाइट्राइड उपकरणहरूको भोल्टेज सहिष्णुता सामान्यतया लगभग 1000V हुन्छ, र सुरक्षित प्रयोग भोल्टेज सामान्यतया 650V तल छ।
| वस्तु | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| आयामहरू | e 50.8mm ± 0.1mm | ||
| मोटाई | ४.५±०.५ उम | 4.5±0.5um | |
| अभिमुखीकरण | C-प्लेन(0001) ±0.5° | ||
| चालन प्रकार | N-प्रकार (अनडप गरिएको) | N-प्रकार (Si-doped) | P-प्रकार (Mg-doped) |
| प्रतिरोधात्मकता (3O0K) | <0.5 Q・cm | <0.05 Q・cm | ~ 10 Q・cm |
| वाहक एकाग्रता | < 5x1017सेमी-3 | > 1x1018सेमी-3 | > 6x1016 सेमी-3 |
| गतिशीलता | ~ 300 सेमी2/वि | ~ 200 सेमी2/वि | ~ 10 सेमी2/वि |
| विस्थापन घनत्व | 5x10 भन्दा कम8सेमी-2(XRD को FWHMs द्वारा गणना गरिएको) | ||
| सब्सट्रेट संरचना | नीलमणिमा GaN (मानक: एसएसपी विकल्प: डीएसपी) | ||
| प्रयोगयोग्य सतह क्षेत्र | > ९०% | ||
| प्याकेज | नाइट्रोजन वातावरण अन्तर्गत, 25pcs वा एकल वेफर कन्टेनरहरूको क्यासेटहरूमा, कक्षा 100 सफा कोठाको वातावरणमा प्याकेज गरिएको। | ||
* अन्य मोटाई अनुकूलित गर्न सकिन्छ
विस्तृत रेखाचित्र
