८ इन्च २०० मिमी ४H-N SiC वेफर कन्डक्टिभ डमी रिसर्च ग्रेड

यसको अद्वितीय भौतिक र इलेक्ट्रोनिक गुणहरूको कारण, २०० मिमी SiC वेफर अर्धचालक सामग्री उच्च-प्रदर्शन, उच्च-तापमान, विकिरण-प्रतिरोधी, र उच्च-फ्रिक्वेन्सी इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू सिर्जना गर्न प्रयोग गरिन्छ। प्रविधि अझ उन्नत हुँदै जाँदा र माग बढ्दै जाँदा ८ इन्च SiC सब्सट्रेटको मूल्य बिस्तारै घट्दै गइरहेको छ। हालैका प्रविधि विकासहरूले २०० मिमी SiC वेफरहरूको उत्पादन स्केल निर्माणमा नेतृत्व गर्दछ। Si र GaAs वेफरहरूको तुलनामा SiC वेफर अर्धचालक सामग्रीहरूको मुख्य फाइदाहरू: हिमस्खलन ब्रेकडाउनको समयमा ४H-SiC को विद्युतीय क्षेत्र शक्ति Si र GaAs को लागि सम्बन्धित मानहरू भन्दा परिमाणको अर्डर भन्दा बढी हुन्छ। यसले अन-स्टेट प्रतिरोधकतामा उल्लेखनीय कमी ल्याउँछ। कम अन-स्टेट प्रतिरोधकता, उच्च वर्तमान घनत्व र थर्मल चालकतासँग मिलेर, पावर उपकरणहरूको लागि धेरै सानो डाइको प्रयोगलाई अनुमति दिन्छ। SiC को उच्च थर्मल चालकताले चिपको थर्मल प्रतिरोधलाई कम गर्छ। SiC वेफरहरूमा आधारित उपकरणहरूको इलेक्ट्रोनिक गुणहरू समयसँगै धेरै स्थिर र तापक्रममा स्थिर हुन्छन्, जसले उत्पादनहरूको उच्च विश्वसनीयता सुनिश्चित गर्दछ। सिलिकन कार्बाइड कडा विकिरणको लागि अत्यन्तै प्रतिरोधी छ, जसले चिपको इलेक्ट्रोनिक गुणहरूलाई घटाउँदैन। क्रिस्टलको उच्च सीमित सञ्चालन तापमान (६०००C भन्दा बढी) ले तपाईंलाई कठोर सञ्चालन अवस्था र विशेष अनुप्रयोगहरूको लागि अत्यधिक भरपर्दो उपकरणहरू सिर्जना गर्न अनुमति दिन्छ। हाल, हामी सानो ब्याच २००mmSiC वेफरहरू स्थिर र निरन्तर आपूर्ति गर्न सक्छौं र गोदाममा केही स्टक छ।